Fw: [問題] 5 pin pmos ?

作者: andyping (19930905)   2021-02-04 23:06:55
※ [本文轉錄自 Electronics 看板 #1W6_l7AY ]
作者: andyping (19930905) 看板: Electronics
標題: [問題] 5 pin pmos ?
時間: Thu Feb 4 21:51:01 2021
目前在試新製程的layout
昨天突然遇到spice寫法pmos5pin
真的有這個東西嗎?
xmp0 d g s b sub model w=? L=?
一般常理而言應該是4pin吧
想請教有遇過的前輩?
因為他的layout diff就分兩個layer pdiff ndiff 之類的
有些製程考量的原因導致要分開嗎?
我是原po 目前在弄layout 但看到有5pin的mos 請問算很常見的元件嗎?
作者: andyping (19930905)   2020-02-04 22:37:00
drain gate source body是基本的 p body接body vddnbody接gnd 但他告訴我最後sub接gnd的用意是指?
作者: jfsu (水精靈)   2020-02-04 22:42:00
x開頭是subckt,這顆MOS裏頭可能有其他寄生元件 ex: diode
作者: andyping (19930905)   2020-02-04 22:52:00
感覺不是啊 我spi有宣告.subckt model name d g s b sub跟寄生元件感覺無關 而且他diff分兩個我最近看到有點傻眼 正常layout active region只會一層layer表示 然而跑lvs如果用正常pmos寫法他會missing instance更正 我是拿他製程的cdl呼叫進去的
作者: bluemkevin (WHO WHO)   2021-02-04 23:10:00
sub 不就是 substrate?
作者: andyping (19930905)   2021-02-04 23:12:00
對啊
作者: UDK0821 (UDK)   2021-02-04 23:15:00
是有deep nw的製程嗎
作者: andyping (19930905)   2021-02-04 23:15:00
我比較想知道的是p sub接地一般不用寫吧 但是昨天遇到的spice 要加 不然lvs會missing instance我是不知為何這個製程需要多此一舉啦?
作者: skysleep (知易型男)   2021-02-04 23:15:00
其實也有5t,6t的MOSFET,可以吧well結構畫看看應該可以知道
作者: kk123 ( ̄▽ ̄)   2021-02-04 23:26:00
psub to nwell 有寄生 diode 第五隻腳就是 psub pin.
作者: andyping (19930905)   2021-02-04 23:51:00
瞭解了 那為何4 pin mos可以不用寫呢?
作者: tenseven   2021-02-04 23:54:00
dnw只有nmos才有吧
作者: andyping (19930905)   2021-02-05 00:06:00
目前已解 應該是BCD製程的原因
作者: marvyuh (台南清水健)   2021-02-05 00:30:00
5 terminal 的MOS很多 不是只有bcd才有 RF也有類似的元件 看spice model 怎麼做 基本上LVS就是跟著spice model
作者: bulcas (神火)   2021-02-05 00:50:00
這文跟科技業的關係是 ?
作者: jay89929 (杰)   2021-02-05 01:16:00
不懂樓上噓什麼,這還是業界範疇的討論啊
作者: William717 (AnywayCK24)   2021-02-05 01:30:00
樓樓上不知道spice 這種回覆情有可原
作者: seraphwind (阿風)   2021-02-05 02:34:00
乞丐趕廟公XD
作者: HFET (紳士場效電晶體)   2021-02-05 06:32:00
同意14樓
作者: h7705060 (邪惡小貓)   2021-02-05 09:02:00
有些公司會在BCD 製程 出4T跟5T,甚至6T的 model 現在PMIC一堆high-side 應用客戶有各種抬壓需求 有的抬在P-SUB有的抬在DNW有的要在Source 抬,整合很崩潰每次都要幫客戶量測他的需求,客戶也會不爽你們的DSM 這麼難用,所以才衍生出這些5隻腳6隻腳的model
作者: SolomonTab   2021-02-05 10:38:00
幹! 蔡逼八!!! 你隨便一個類比IC mos外圍要掛幾個Diode breakdown多大你爽就好 5T 6T很常見好嗎!GG model team 就包含LVS PDK SPICE而且我們ATD 也會鎖BV 你不懂直接在會議問就好啦!
作者: republic (#FunCoTravel)   2021-02-05 10:51:00
去問FAB怎麼定義不就好了....好笑的是板上也都是學生回答不了你的問題..
作者: hugh5130 (hughGCHIEH)   2021-02-05 10:54:00
應該是下面有墊一層HV_Well,主要應用在大面板LV 1.8V的LVP device
作者: VicLien ( 第二人生)   2021-02-05 11:06:00
DNW
作者: andyping (19930905)   2021-02-05 11:08:00
我覺得有些意見對的啦 謝謝指教
作者: samm3320 (sam)   2021-02-05 11:33:00
版上哪來那麼多學生,都老人了
作者: darkangel119 (星星的眷族)   2021-02-05 13:06:00
一堆登入數破三千的老人很多XD

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