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2019-10-11 00:14 聯合報 編譯葉亭均／綜合外電
三星電子正考慮為興建中的第二座西安ＮＡＮＤ型快閃記憶體工廠追加投資。業界人士認
為，在記憶體市場供應過剩之際，三星此舉可能為市況增添不確定性。
韓媒BusinessKorea報導，證券與半導體產業消息人士九日透露，三星電子計畫將記憶體
晶片廠明年資本支出小幅調高至六十五億美元，增加的金額預期投入西安第二座半導體工
廠，將在年底宣布計畫。
三星已在二○一四年完工的首座西安廠量產第一代Ｖ-ＮＡＮＤ型快閃記憶體。然而，三
星二○一七年八月與西安省政府簽署興建第二座工廠的備忘錄，並宣布直到二○二○年前
計畫投資七十億美元，因為當時即使第一座工廠產能全開，ＮＡＮＤ供應也不足。
三星為遵守向陸方的承諾，正面臨要在明年八月前讓第二座西安廠完工並全面營運的壓力
。不同於ＤＲＡＭ市場，ＮＡＮＤ快閃記憶體市場正逐漸顯示復甦跡象，在ＳＫ海力士與
美光等其他廠商減產之際，三星此舉將乘機拿下更多市占，但將為市況增加不確定性。