記憶體廠華邦電（2344）總經理詹東義於今日法說會表示，下一波的成長動力將隨著高雄
新廠於2021年量產後正式爆發，由於台中廠空間已塞爆，擴充已到頂了，因此明後年的位
元成長率只會溫和成長，而公司將持續積極布局利基性市場，特別是在市況不好時，希望
透過新產品帶來新革命，進一步提升市佔率。
詹東義表示，目前台中廠的產能擴充已經到頂了，已無空間擴產了，預估明後年的位元出
貨量將溫和成長，考量整體的生產效率、效應以及客戶需求之下，台中廠的產能不會全部
轉進更先進的製程，目前台中廠12吋的月產能為5.2萬片，明年將提升至5.4萬片，而未來
只要高雄廠投產之後，很多的限制都會被解除了。
在產品的技術與應用上，詹東義說，38奈米DDR3 DRAM於今年第3季的營收貢獻持續提升，
而25奈米2G DDR3預計今年第4季量產。在Flash的部分，持續鎖定Code Storage Flash市
場，並將推出高速、高品質的SLC NAND Flash取代中階的NOR Flash產品。
詹東義也說，NOR Flash應用越來越多，包括無線耳機、智慧音箱、車用市場等等，車用
市場無庸置疑，電子化的程度一定為越來越高。
華邦電今年列出高雄12吋廠土建的資本支出為192億元，至於設備的資本支出還沒有，華
邦電希望高雄廠最快2020年興建完成，2021年導入量產，希望新廠投入後第一階段就要衝
上2.85萬片的月產能。
華邦電原本預估今年資本支出為192億元，降為178億元，主要因為部份機器設備出貨遞延
。華邦電說明，目前許多設備的交期都很長，有些長達1年的時間，因此對方只要遞延交
貨，就會跟著遞延付款。（楊喻斐╱台北報導）
新聞來源: https://goo.gl/qgyRsh
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