Re: [討論] 晶片體質

作者: specman (阿皮回家啦!!)   2017-09-18 13:05:00
我都是作前端的前端, 趁此文章想請教此版各位高手.
1. 一般現場狀況是怎樣測試晶片到不到的了某個操作頻率?
會不會剛開始跑的到, 後來跑不到?
2. 一棵die 失敗, 占整顆chip的成本約多少?
※ 引述《FTICR (FT-ICR)》之銘言:
: 一片或一批 wafer 切出每片晶片一定體質有差,有些頻率可以跑比較高有些比較低
: Intel 也把保證可以跑到不同頻率的晶片標上不同型號來賣
: 不過像是蘋果的晶片,以 A9 為例,Wikipedia 寫設計頻率是 1.85 GHz
: 1. 這樣的話整批做出來的晶片,跑不到這頻率就算是不良品
: 2. 還是這些晶片可能拿去組裝比較低階的產品
: (像是可以跑到 1.85 GHz 用去組裝 iPhone 6s,1.5~1.8 GHz 用去 iPhone SE 或 iPad)
: 甚至不同地區銷售的 iPhone 因為價格不同,用的晶片等級可能會有差?
: (好像沒看過這樣的評測或新聞過)
: 我自己認為比較可能是選項1.,整批做出來是幾乎都可以跑在設計頻率以上,
: 不知道對不對?
: 是否有前輩可以分享這方面經驗? 感謝!
作者: udtsean (I am back)   2017-09-18 15:01:00
1. 那要 sampling 做加速老化測試2. 不一定,看封裝型式,例如LCD driver IC (COF) 約佔 total cost 的 30%
作者: adfn (月之吻)   2017-09-18 15:08:00
要測試頻率,業界的做法是埋一個專門測試頻率用的小晶圓然後測試這個小晶圓通過的delay時間。然後依據此delay時間,在與這顆ic真實能跑的頻率兩者相比就能過在CP測試平台測出跑不到標準頻率的die了。因為每個產品die大小差太多,所以成本結構會完全不一樣。
作者: twicm (WhyMe)   2017-09-18 16:10:00
Speed sensor+DVFS
作者: ptta (ptta)   2017-09-19 09:01:00
就DFT裡面的on speed test,google一下

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