Re: [新聞] 應材宣布成功導入鈷材料取代銅,延續

作者: negohsu (專打不專業環團)   2017-05-19 19:01:49
由於這是個很有意思的題目,所以我稍微搜尋了一下相關的文獻
又由於蔽人在下我的英文很爛,且這不在我的專業領域內,若有錯誤請幫忙指正,若是有
這方面專業者請不吝指教
我使用的初始關鍵字為cobalt damascene(以下我簡稱為鈷製程),然後由reference搜尋到
相關的文獻,大致上說的是copper damascene(以下簡稱銅製程)在10nm世代終結(這裡的世
代就如同台積的16,10,7nm,非指damascene的pitch)
雖然說銅的電阻率比鈷還低很多,但是銅製程中的阻障層(barrier)並不容易再減少厚度
,在銅電鍍的過程中會因為可填入銅的體積劇減,產生空隙(void)
因此10nm以下,需要改進阻障層的材質或是採用新的導體,也就是鈷
由於鈷可以使用無電電鍍底部成長型填充製程(electroless bottom up fill in),可以製

出無空隙(void free)導線,因次可藉次取代銅製程
對於一般半導體廠,銅製程依舊是最佳選擇,因為銅的電阻率比鈷低很多
對於台積、英特爾、***來說(我該提聯電嗎?),更先進的製程或許會採用鈷製程
而最有潛力的運用商,會是DRAM廠
在高深寬接觸窗( high aspect ratio contact)的金屬填充上,底部成長型填充是非常有
吸引力的誘因
以上,提供給想知道更多的人一點個人所知的訊息
作者: Seikan (星函)   2017-05-20 07:15:00
AMAT設備商王朝的領土 又擴展了一大步
作者: lien952 (連)   2017-05-19 19:07:00
長知識
作者: TatsuyaShiba ( )   2017-05-19 19:13:00
長知識+1
作者: coldplay0416 (馬克)   2017-05-19 19:15:00
推 謝謝分享
作者: iwaitforyou (小爛)   2017-05-19 19:16:00
作者: ljsnonocat2 (平凡是幸福)   2017-05-19 19:21:00
感謝 長知識了
作者: cain5485 (pp)   2017-05-19 19:26:00
認真!!感謝
作者: Unstable (就是愛吃阿~~)   2017-05-19 19:36:00
受教了!
作者: roveralex   2017-05-19 20:17:00
謝謝分享
作者: chechung (Hibbert)   2017-05-19 20:25:00
作者: wuhaha151 (飄泊的人)   2017-05-19 20:28:00
長知識了
作者: aptivaibm (記住微笑,就不會再害怕)   2017-05-19 20:28:00
electroless 感覺是指化鍍,是的話藥水商應該很爽..bottom up fill in 有點像是深孔鍍膜...y
作者: ji3ao6fu06 (還真別說阿)   2017-05-19 20:33:00
受教了
作者: mandibular (顎的)   2017-05-19 20:39:00
barrier是哪一層阿]
作者: alpacawu (alpaca)   2017-05-19 20:45:00
electroless無電電鍍 用化學氧化還原法鍍
作者: negohsu (專打不專業環團)   2017-05-19 20:49:00
barrier在銅的底下。感謝補充我不知道的部份
作者: Homedoni   2017-05-19 20:58:00
推個
作者: acctouhou (acctouhou)   2017-05-19 21:09:00
我現在就在觀察雙晶銅的void 我難過qq
作者: werz (werz)   2017-05-19 21:13:00
應該很多人早就知道換成cobalt吧2 .3年前就在測試台積的Co pattern
作者: acctouhou (acctouhou)   2017-05-19 21:20:00
沒想到這麼快qq
作者: a1106abc (HP都陷入內戰中)   2017-05-19 21:32:00
推~不過銅也能無電鍍啊
作者: katnissin (姍拎姍)   2017-05-19 21:46:00
感謝~長知識了
作者: p23j8a4b9z (我是小牙籤~)   2017-05-19 21:54:00
感謝 原本看到記者說銅導電>鈷還以為是記者亂寫寫錯是<
作者: Leifoxx (想聽妳 ...)   2017-05-19 21:55:00
漲汁4了 推
作者: ThonMaker (KG)   2017-05-19 22:18:00
不過Co不是取代Cu吧?
作者: melzard (如理實見)   2017-05-19 22:48:00
那鎳沒被嘗試過嗎?
作者: treeyoyo   2017-05-19 23:10:00
metal layer嗎?
作者: sssnss (00l)   2017-05-19 23:32:00
有人研究Co的電遷移嗎
作者: r781013 (連續出水)   2017-05-20 00:08:00
恩 不知道EM嚴不嚴重..
作者: flyinsky1984 (XXX)   2017-05-20 01:00:00
感謝~
作者: luche (luche)   2017-05-20 01:01:00
想請教文中指的銅通常都是較高等級的無氧銅嗎
作者: FTICR (FT-ICR)   2017-05-20 01:27:00
我看到的是(雖然文章有點舊2014) 把Co沉積在Ta/TaN上再fill Cu 可以 fill 更好減少 void https://goo.gl/tH3eUN
作者: ph99 (電光花)   2017-05-20 08:09:00
推!
作者: dan0000   2017-05-20 09:23:00
無電鍍雜質很多耶! foundry 可以接受? 有點懷疑!
作者: JBNHT   2017-05-20 09:47:00
感謝分享
作者: CLC32 (BNP)   2017-05-20 22:46:00
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作者: astushi   2017-05-22 00:32:00
Cobalt EM比Cu好 用在連結上下層的via 基本上各層metal還是copper

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