三星電子創造了許多世界第一：世界最早的 64M DRAM（1992）、第一顆256M動態存儲器
（1994）、第一個22英寸TET-LCD（1995）、....、第一顆2 GB快閃記憶體晶片（2005）
、第一個16GB記憶體（2005）等。台積電創造了什麼？是台灣人遠比韓國人笨？還是台灣
的企業家遠比韓國沒氣魄？
彭教授提到這些三星的第一 技術上是三星原創的???
還是三星在這些所謂第一上面 製程上有何獨特的改良突破???
我不認為彭教授舉出三星的這些第一
會比台積電林本堅博士當初提出"潤浸式曝光"的突破與創意更大...
當然如果彭教授是舉外星科技的i社的一些製程創意
例如:現在3D的FinFET結構
或是當初45nm 利用SiGe填入PFET S/D 給予壓應力的應用
還是65nm 利用SiN CESL film去給予Si channel strain改變電子傳輸率
這些才是真正在製程上有特殊創意的地方 基礎科學也要夠強...
(我猜彭教授應該也不懂這些...)
※ 引述《esp0213 (得了一種不科科會死的病꼩》之銘言：
: 這邊有比較詳盡的敘述
: http://mhperng.blogspot.tw/2015/06/ceo.html
: http://opinion.cw.com.tw/blog/profile/30/article/2964
: fyr
作者:
YKM519 (來聊天吧)
2015-06-22 00:04:00你說這個太專業了大概會被無視
作者:
br2658 (brian)
2015-06-22 00:12:00INTEL真的很猛...不過FinFET不是INTEL提出的就是了
作者:
LOVEMS (ç‰åˆ°è¶ŠéŽå¤©ç©ºé‚£å¤©)
2015-06-22 00:24:00原文講的都是產品而非技術，我覺得可以講浸潤式技術最先應用的產品會比較好對照所以台積可以這樣宣稱呀，不說出來實在太低調了，結果這樣列出來的第一都是三星的，抹滅了台積的原創性
作者: deltarobot (翻出來比大隻小隻啊) 2015-06-22 01:23:00
學界跟業界本來就有個很大的gap在 看完笑笑就好
作者: IssacYCSu (哈佛古天樂) 2015-06-22 01:47:00
FinFET的專家以前在gg當技術長 現在在Berkeely EE
作者:
mlda888 ((╭￣3￣)╭♡ )
2015-06-22 02:07:00彭教授之前有出一本書，不知道你有沒有看過，通篇廢文妳可以找來拜讀看看XD
作者:
osbsd1 (封棋-勿找)
2015-06-22 03:46:00台積還不都切i社的wafer來抄 ㄎㄎ就像運動比賽 你做你的 我學你的 還不都一樣?
作者:
joh (30分滅一國的匈奴)
2015-06-22 07:33:00看看他知前面對核能問題都被黃士修打到逃走了你就知道這個人專業領域上如何了...
作者:
leacks (天行者)
2015-06-22 08:36:00一個機械系教授討論電子業，不用跟他認真
作者:
ZXCWS (兩分銅幣)
2015-06-22 08:42:00他不懂 這都偏製程改善台灣很多認為製程改善只是代工而已
作者:
mico409 (mico)
2015-06-22 09:47:00某些東西做出來不困難 困難是如何量產加上維持良率~學者當然是打打嘴砲可以 但是真的把東西量產難道沒功勞嗎
作者:
damm (Anubis)
2015-06-22 12:12:00都有功勞……但是因此自滿則不予置評
作者:
kurtdh (Kurt)
2015-06-22 12:33:00感謝分享
他戰點太門外漢了 如果用輪班星人切入就正解啦在一個獅子都吃香蕉的島上出了香蕉的公司~~
Cheming Hu 在1992年左右提出FinFET的概念，後來三維結構的電晶體開始慢慢被研究，I公司 後來自己所做的三維電晶體是稱Tri-Gate transistor，不過基礎的元件作動原理是類似的
你講的那些都不是i社原創，其實連HKMG也都不是原創i社真正強的地方是看出技術真正的趨勢，並引入可行的技術成功量產
作者: qui (Paris Je t'aime) 2015-06-22 23:16:00
覺得不用理他,這討論串也太久,不懂的人在批評,要原諒他的不懂
作者:
syhsu (as)
2015-06-23 04:34:00FinFET是胡振明院士發明的
彭明輝？單位都搞錯了1000倍，還敢宣稱自己的結論沒錯，死不承認錯誤，枉為機械系的教授