SK海力士、三星和美光於2024年都將量產HBM3E，積極搶奪AI商機
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SK海力士公司正在加大在先進晶片封裝方面的支出，希望能更多地滿足AI關鍵零組件之高
頻寬記憶體(HBM)不斷成長的需求。SK海力士認為半導體產業的前50年一直都注重在前端
製程的發展，但接下來的50年將主要關注後端的封裝。
AI記憶體HBM的優勢核心是在於製程創新，進一步降低功耗、提高性能是鞏固企業在HBM市
場領先地位的關鍵。因此，SK海力士預計2024年將在韓國投資超過10億美元，以擴大和改
進其晶片製造的封裝。
雖然SK海力士尚未披露2024年的資本支出預算，但分析師平均預估該數字為14 兆韓元(約
105億美元)。這表明SK海力士將投資先進封裝約十分之一的資本支出，這表示其是一個主
要優先事項。
前幾年，SK海力士開創了一種封裝的第三代技術HBM2E的新穎方法，該方法很快就被其他
兩家主要記憶體製造商效仿。也由於這項創新讓SK海力士在2019年底贏得輝達客戶的青睞
。
接下來，輝達正在將SK海力士最新的HBM3和HBM3E記憶體模組用於其當前、增強型和下一
代AI GPU，包括即將推出的Hopper H100、Hopper H200(首款配備HBM3E記憶體的AI GPU)
及其下一代Blackwell B100 AI GPU。
同一時間，三星預計將在NVIDIA GTC 2024上以實體形式展示其全新大容量36GB HBM3E
12-Hi堆疊記憶體。三星預計在未來幾個月內將開始量產，輝達似乎也將其納入H200和
B100 AI GPU的主要HBM記憶體供應商。這表示三星正在努力追趕SK海力士在HBM記憶體技
術上的領先優勢。
其實，2013年當SK海力士和美國合作夥伴超微向全世界推出HBM記憶體時，根本沒有一家
對手能在這裡與其競爭，並讓其維持了兩年優勢內。一直到2015年底，三星才警覺在HBM
記憶體技術落後之下，終於開發出HBM2。
至於美光，已開始大量生產用於生成式AI和高效能運算的HBM3E，並成功整合至輝達H200
GPU中，該GPU將於2024年第二季開始出貨。
基本上，HBM3E晶片堆疊了12個24 GB DRAM晶片，峰值記憶體頻寬為每秒1.28 TB。與前身
八堆疊HBM3相比，這兩個方面都提高了50%。更重要的是HBM3E晶片的高度與八層晶片相同
，可以滿足目前的封裝要求，這是透過應用先進的熱壓縮非導電薄膜(TC NCF)技術實現的
。美光還降低了NCF材料的厚度，實現了業界最小的晶片間隙7微米。
總之，這三大記憶體廠商正加速參與這一場生成式AI盛會，搶奪未來幾年的AI商機。