中芯國際2020年底將試產7奈米不用EUV
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據陸媒報導，中芯國際表示今年(2020)將試產的7奈米，將不採用EUV技術，預計明年
(2021)才能正式量產。其實，中芯國際已投資1.2億美金向荷蘭ASML半導體設備廠訂購一
台EUV極紫光機，卻因受制於「瓦聖納協定」出口管制高科技設備，至今仍無法交付。中
芯預計N+2 才會啟用EUV 製程。
根據中芯國際共同執行長梁孟松，已經規劃了N+1、N+2製程工藝。新製程工藝N+1作為14
奈米的後繼者，而且性能相比14奈米性能提高了近20%，也被稱為7奈米製程的開始。而且
N+2製程工藝被稱為第二代7nm。
由於，第二代FinFET技術中芯國際一直沒有明確定義在7nm 或8nm，僅對外表示是N+1，推
測可能是14nm功能加強版。梁孟松分析，N+1與中芯14nm製程比較，效能增加20%、功耗減
少57%、邏輯面積減少63%、SoC 面積減少55%。若相較於台積電7nm，則中芯N+1 的效能還
追不上台積電7nm。所以，中芯N+1 製程瞄準的應用是低成本產品。
至於第一代FinFET 製程14奈米，中芯國際表示將於今年(2020)第四季正式規模量產，分
三個時程：2020 年3 月擴產到4000 片、7 月到9000 片、12 月朝15000 片邁進。主要的
應用包含高端消費電子產品、高速運算，低階AP 和基頻、AI、汽車應用等。
在第二代FinFET 製程N+1方面，2019 年第四季進入NTO（New Tape-out）階段，目前正處
於客戶產品認證期，預計2020 年第四季可以看到小量產出。
梁孟松強調，FinFET 製程的產能非常昂貴，平均每擴充1000 片需要投資1 億至2 億美元
，所以擴充前會全面評估客戶需求、預算及毛利率，才會投資先進製程。
中芯12nm製程是14nm的微縮版本
中芯計畫在14nm 和N+1 兩代FinFET 製程之間，會有一個12nm，也是14nm 技術的微縮版
本，目前12nm 已有些NTO（New Tape Out，新產品流片），該製程主要是瞄準低階AP 處
理器等。