遭美指控竊取美光機密 聯電發聲明要自我防衛
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美中貿易戰打的火熱，更是牽連到台灣的聯電（2303）受到池魚之殃；日前聯電遭到美國
司法部指控聯電及聯電3 位前高級主管，與中國晉華集成電路竊取美商美光商業機密，聯
電並可能處以最高200億美元罰金，震撼各界，雖聯電發布重訊表示將「嚴正以待」，但
外界仍有疑慮，對此聯電今晚發出聲明稿澄清自己的清白，並希望能以正視聽。
聯電在聲明稿中指出，聯華電子是國際公認、台灣起家的半導體公司，38年來，在全球的
供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達14奈米。
對比之下，美光公司爭執所涉及的DRAM技術，是32奈米，在聯華電子的計劃啟動當時，已
經是落後幾個世代的技術。
社會上有一個錯誤的印象，認為聯華電子沒有任何DRAM的知識或經驗，這不是事實，而且
是極端的不實。
從1996年到2010年，聯華電子積累了近15年製造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上，
聯華電子內部DRAM團隊人數，超過150人。
聯華電子是一個有組織的企業機構，藉由堅實而穩定的團隊，掌握並保存了豐富的DRAM知
識和經驗。
舉個例子來說，現任聯華電子共同總經理之一的簡山傑，是1996年時開發DRAM產品的RAM
製程開發經理。
另一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯華電子公司授權合作DRAM夥伴之一
，該公司是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司，藉由聯華電子的技術進行DRAM製造。
除了傳統的DRAM技術外，2009年聯華電子更成功開發了屬於自己的嵌入式DRAM製程技術，
這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。
聯電同意與晉華公司聯合開發DRAM製程，這是一個與聯電晶圓專工服務完全分開的單獨項
目，在做成決策當時，只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易，已經向台灣政府
正式提出申請，主管機關亦已於2016年4月核准整個項目。值得一提的是，那時還未聽說
有美中貿易戰。
自從聯華電子開始為晉華公司開發DRAM製程技術，履行合約義務，聯華電子已經花費了數
億新台幣。儘管這個專案的研發團隊成員接近300人，但只有不到10%的人曾在美光公司工
作過。
相反於美光所提出民事和刑事訴訟製造的假象，聯電的DRAM技術基礎裡的元件設計，是完
全不同於美光公司的設計。
簡而言之，聯華電子開發的記憶胞架構是3x2佈局的儲存單元，這與美光公司的2x3佈局的
儲存單元是完全不同的。
另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了25奈米的DRAM技術。事實是，美光公司在2010
年初，購買了台灣的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25奈米 DRAM技術。
聯電不要「在報刊上」進行這場訴訟，但聯電要向我們的客戶和投資人保證，聯電對於任
何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，將全力並積極地自我防衛。（財經中心／台北報導
）
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做邏輯的14nm去跟DRAM的32nm比??這聲明香蕉比西瓜擺明就是混淆視聽