IBM 發表突破性新技術「PCM」，比快閃記憶體快 70 倍、寫入次數多近 1 千萬次
近年因行動裝置和物聯網快速成長，如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM
研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技，有望成為新一代的資料
處理科技，電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。
根據《TheVerge》報導，這項技術叫「相變化記憶體（Phase-change memory，PCM）」
，透過改變 PCM 上硫化物型態所產生的不同電流來讀寫資料。因具有讀寫速度快、耐用、非揮發性（non-volatility）等優勢，一直被視為儲存科技的潛力股，但在過去受限於成本過高和儲存有限，一個儲存單位（cell）僅能存 1bit，難以應用於電腦和行動裝置上，僅被用在藍光光碟。現在，IBM 研發出 PCM 每儲存單位可存 3bit 而不受周圍溫度影響，突破儲存密度的限制可讓 PCM 的成本遠低於 DRAM，大幅度提升 PCM 實際應用於商業的可能。
不像 DRAM 在中斷電力後會失去資料，PCM 和快閃記憶體一樣，在失去電力的情況下也
可暫存資料。跟快閃記憶體相比，PCM 可寫入至少 1 千萬次，快閃記憶體平均僅能寫入
約 3,000 次。此外，根據《Engadget》報導，PCM 的讀取速度少於 1 微秒，快閃記憶體
則約 70 微秒。這些特性讓 PCM 有望成為改變資料處理的革新技術。
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旺宏要翻身了嗎??
作者: WenliYang (羊蹄嘟) 2016-05-21 07:51:00
這…
作者:
klolong (喔呵呵呵呵)
2016-05-21 07:59:00DRAM廠這次如何?
作者:
rogergon ( Aquila)
2016-05-21 08:26:00最好是快閃才3000次，聽他在唬爛。(更正)TLC只有1000次，真的就是這麼爛。
幸好我沒浪費錢買固態硬碟既然成本這麼低應該很快就能商業化了，對吧？
作者: semihumanity (沙漠之狐) 2016-05-21 08:58:00
IBM發表了！？上市再叫我。
作者:
msty (Ting)
2016-05-21 09:01:00成本只比較DRAM，所以文章很明確PCM目前只會取代DRAM，因為成本還是比NAND來的貴，SSD還是以NAND為主。至於怎麼降低抹除次數，請看NVDIMM SPEC. 目前最有效降低抹除數。
作者: tkhan (腦殘綠吱吱) 2016-05-21 09:06:00
舊聞了還能po真了不起，上市再說..
作者:
nimmal (尼莫)
2016-05-21 09:11:00看看就好 不能量產都是屁
作者:
yingjeou (英ä¹)
2016-05-21 09:59:00這新聞也修一下用語吧
作者:
alau ( )
2016-05-21 10:07:00當初DRAM跟Flash剛開始 也是被嘴砲不能量產都是屁
作者:
chuegou (chuegou)
2016-05-21 10:21:00我覺得這篇重點在 光學儲存科技
作者:
wait (有言論自由!?)
2016-05-21 10:22:00當學生曾看過的論文.... 終於!?
實驗室的東西跟能量產是兩件事情不用管一顆CPU賣100萬，現在ASML也能硬追摩爾定律啊
作者: jason3345678 (yagiyame) 2016-05-21 15:06:00
為什麼是光學儲存技術？ 不是相變嗎？
作者: Yashilo (想活得像自己) 2016-05-21 17:55:00
ˇ這技術很久了，不是新的，如果要上市應該是使用壽命跟開發成本得到平衡點才會拿出來賣。
作者:
leouni (雷歐優逆)
2016-05-21 19:37:00unc:當初是誰害死我~
作者: modernpkman (不宅) 2016-05-24 22:52:00
錢錢錢