IBM 發表突破性新技術「PCM」，比快閃記憶體快 70 倍、寫入次數多近 1 千萬次
近年因行動裝置和物聯網快速成長，如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM
研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技，有望成為新一代的資料
處理科技，電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。
根據《TheVerge》報導，這項技術叫「相變化記憶體（Phase-change memory，PCM）」
，透過改變 PCM 上硫化物型態所產生的不同電流來讀寫資料。因具有讀寫速度快、耐用、非揮發性（non-volatility）等優勢，一直被視為儲存科技的潛力股，但在過去受限於成本過高和儲存有限，一個儲存單位（cell）僅能存 1bit，難以應用於電腦和行動裝置上，僅被用在藍光光碟。現在，IBM 研發出 PCM 每儲存單位可存 3bit 而不受周圍溫度影響，突破儲存密度的限制可讓 PCM 的成本遠低於 DRAM，大幅度提升 PCM 實際應用於商業的可能。
不像 DRAM 在中斷電力後會失去資料，PCM 和快閃記憶體一樣，在失去電力的情況下也
可暫存資料。跟快閃記憶體相比，PCM 可寫入至少 1 千萬次，快閃記憶體平均僅能寫入
約 3,000 次。此外，根據《Engadget》報導，PCM 的讀取速度少於 1 微秒，快閃記憶體
則約 70 微秒。這些特性讓 PCM 有望成為改變資料處理的革新技術。
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