原文標題：
台積電大舉投資440億美元，三星在晶圓代工策略將著重技術領先
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發布時間：
2022年1月18日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
三星電子於兩年前立下志向，期望至2030年成為全球第一大晶圓代工企業。如今實現這個
目標面臨重大障礙，因為競爭對手台積電準備在2022年投資高達440億美元以鞏固領先地
位。
2021年，三星電子在記憶體、代工和基礎設施投資上花費了大約40兆韓圜（約335億美元
）。2022年，台積電計劃光是在晶圓代工業務上就投入超過50兆韓圜。因此，Eugene
Investment Securities認為在目前的業務結構下，三星很難趕上台積電。
據資料顯示，2022年很可能成為三星在晶片產業的投資金額首度被台積電超越的一年。據
統計，台積電於2020年投資金額換算成韓圜，約為18.4兆韓圜，低於三星的32.9兆。2021
年約35.6兆韓圜，也低於三星的40兆韓圜。如今台積電預計於2022年在晶片上投資高達
52.2兆韓圜（440億美元），而三星預計將花費45兆韓圜（377億美元），正式超越三星的
晶片投資。
台積電之所以敢大規模投資，關鍵在於2021年驚人的業績。根據2021年數據，台積電營收
年成長率達24.9%至568億美元，營業利潤大漲40.9%至232億美元，幾乎是三星在晶片業務
價值256億美元之營業利潤的90%。
隨著台積電加大晶片投資力度，預計與三星的差距只會擴大。在2021年第三季台積電晶圓
代工佔有率已經提升至53.1%，拉大了與三星的距離。
隨著三星逐步知道在規模上無法擊敗台積電之後，只能全力在技術上超越台積電。三星希
望在2022年上半年量產3奈米晶片，這將比台積電定於2022年下半年的量產時間，約提前
至少一個月以上。
除此之下，三星的目標是生產具有突破性技術的3奈米晶片，稱之為環繞式閘極 （
Gate-All-Around；GAA），使其3奈米晶片比起5奈米在面積上減少多達35%，性能卻提高
30%、功耗降低50%。至於台積電，其3奈米晶片依舊是採用FinFET技術，對於台積電營收
貢獻也必須等到2023年。至於GAA技術則必須等到2奈米晶片之時才會採用，且該晶片於
2024年才會進入量產。
雖然三星在5奈米與7奈米技術上都不如台積電，但是三星自2019年以來一直致力於GAA技
術的研發，就是期望能夠在技術上超越台積電，爭取更多高階客戶逆轉格局。這一策略是
否奏效，就看2022年上半年三星揭露的3奈米晶片了。
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台積電去年營收成長驚人，為了維持市場地位，拉大與三星的差距，預計今年資本支出將
超過400億美元。