去看了下應該是原出處的地方，看完這段真的會氣到跳腳的是intel吧
With regards the movement to Gate-All-Around / nanosheet transistors, while
not explicitly stated by IBM, images show that this new 2nm processor is
using a three-stack GAA design. Samsung is introducing GAA at 3nm, while TSMC
is waiting until 2nm. Intel by contrast, we believe, will introduce some form
of GAA on its 5nm process.
不精確翻譯：
關於GAA-nanosheet電晶體，儘管IBM沒有明確地發表聲明，圖片顯示這新的2奈米處理器使?
三星正在將GAA引入3奈米製程，同時台積電在2奈米才要使用該技術
相比之下，我們相信英特爾應該能在5奈米上引進一些GAA的東西
可憐哪，之前消息放那麼大結果直接被人家分到另一邊去
然後關於新聞內提及的消息，我覺得真正恐怖的是功耗上的減少，應該是真的有克服甚麼東西才能在SCEs的夾殺下壓低功耗
話說這篇是做nanosheet，查了一下台積的2奈米好像也是往這發展，所以大公司是已經不打
至於他文內還有提到一種新的底層介電通道技術，不知道這是不是完全和double gate時的?
不知道這篇能不能釣到高手來發表意見
※ 引述《madeinheaven ()》之銘言：
: 原文標題：
: 里程碑！IBM宣佈造出全球首顆2nm EUV芯片
: (請勿刪減原文標題)
: 原文連結：
: https://news.mydrivers.com/1/755/755094.htm
: (請善用縮網址工具)
: 發布時間：
: 2021-05-06 18:42:25
: (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
: 原文內容：
: 藍色巨人出手就是王炸。
: 5月6日消息，IBM宣佈造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。
: 核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管
: ）為333.33，幾乎是台積電5nm的兩倍，也比外界預估台積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要
: 高。
: https://i.imgur.com/gs5Su5y.jpg
: 2nm晶圓近照
: 換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆晶體管。
: 同時，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少
: 75%的功耗。
: https://i.imgur.com/Kns1Lhd.png
: 實際上，IBM此前也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）芯片的廠商，在電壓等指
: 標的定義上很早就拿下主導權。
: 回到此次的2nm上，採用的是GAA（環繞柵極晶體管）技術，三層。IBM介紹，這是第一次
: 使用底介電隔離通道，它可以實現12 nm的柵長，其內部間隔是第二代干法設計，有助於
: 納米片的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。
: 需要注意的是，IBM並沒有自己的晶圓廠，2014年其製造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了
: 10年合作協議，另外，IBM也和三星、Intel保持合作。
: 關於GAA晶體管技術，三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。
: https://i.imgur.com/jpbeoSg.png
: 心得/評論： ※必需填寫滿20字
: https://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=15592
: 根據上面這篇三星的3nm GAA技術是跟IBM合作
: 所以這篇的2nm GAA應該也是跟三星合作
: