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三星晶片2021年發表GAA技術 領先台積電
聯合新聞網
記者林奕榮╱即時報導
2019年5月15日 下午3:04
南韓三星電子14日宣布，將在2021年推出突破性的晶片3奈米製程「環繞式閘極結構」（
Gate-All-Around，GAA）技術，重新設計電晶體底層結構，號稱將可提升速度性能35%，
使用空間減少45%，電力消耗減少50%。
科技網站CNET報導，三星在三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum）中表示，GAA技
術將是三星與台積電、英特爾競爭中的重要一步，重新設計晶片核心的電晶體，使電晶體
更小、更快。近年來，晶片製造業者都苦於克服晶片最小化的工程挑戰。
International Business Strategies執行長Handel Jones指出，三星的材料研究計畫正
開始獲得回報；他說：「三星在GAA技術方面已經超越台積電，可能領先達12個月。英特
爾可能落後三星兩到三年。」
報導指出，三星的GAA可望使摩爾定律延續，讓智慧手機、智慧手錶、智慧汽車和智慧住
家更聰明。三星晶圓事業行銷副總裁Ryan Lee說：「GAA技術將代表我們的晶片事業進入
新年代。」
3.心得/評論：
看來台積電股價可能會有一波修正惹，三星來勢洶洶，全球晶圓代工的霸主是誰很難說惹