1.原文連結：
外電
2.內容：
外電報導，全球第二大內存芯片廠SK海力士將增建DRAM新廠，
以滿足移動設備發展帶來的高端DRAM需求。
法人擔心，大廠擴大投資之下，產業可能重啟資本戰，
台灣DRAM雙雄南科、華亞科需謹慎應對。
外電指出，海力士規劃，明年將投資至少38億美元在既有廠房、
維運與技術升級等方面，並將興建新廠，最快於2015年初量產。
朝鮮商業報導引述知情人士消息，指SK海力士增設二座新DRAM廠，
主要考慮潔淨室增加有限，現有M10生產線不足以安裝最先進的設備。
華亞科及南科高層透露，DRAM廠推進20nm製程，一定要新增潔淨室，
才能維持在切入20nm製程時，仍能保持相當產能，否則總產能會因而下降，
因此SK海力士新增潔淨室投資，只能說是計劃導入20nm，以迎合更高端產品市場需求。
華亞科和南科高層表示，因20nm製程用潔淨室建廠過程需耗時一年多，
DRAM產業短期只有製程微縮，產出速率遠低於需求增速，
對明年DRAM價格仍維持平穩且樂觀看法。
DRAM市場目前已形成三星、SK海力士與美光等三大集團瓜分的局面。
根據彭博報導，SK海力士第3季DRAM市佔率為28.5%，落後於三星的37.1%，
後面又有市佔26.2%的美光追趕。
業界分析，SK海力士拜DRAM價格回升，財務轉佳，
第3季單季稅後純益繳出9,582億韓元佳績，遠遠優於去年同期，
讓SK海力士銀彈充裕，明年加大擴大市佔的企圖。
在SK海力士無錫廠發生火災前，
DDR3 2Gb DRAM顆粒均價約在1.6美元左右，
傳出災情后，報價一路上揚，據集邦科技最新報價，
DDR3 2Gb DRAM顆粒，目前現貨均價約介於2.34美元至2.41美元。
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