【情報】 NVRAM記憶體專利訴訟 旺宏向東芝提出337調查
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2017年3月7日，台灣記憶體製造大廠旺宏電子（Macronix）
及其美國子公司Macronix America，
向美國國際貿易委員會（USITC）遞交違反美國關稅法337條訴狀書，
控告日本半導體大廠東芝（Toshiba）及其子公司等5家，
所進口至美國境內供應販售之多款非揮發性記憶體（non-volatile memory，NVRAM）
產品，以快閃記憶體產品（flash memory）為主，
惡意侵害其3項記憶體技術相關美國專利，
並構成美國關稅法337條所述之不公平貿易競爭行為。
據此，旺宏電子要求ITC發佈排除命令，禁止侵權產品進口，
並就已在美國境內之侵權產品，發佈停止暨禁止命令，以阻止其供應販售。
同日，旺宏電子也於美國加州南區聯邦地方法院，
對東芝提起相同惡意侵權指控
（Macronix International Co., Ltd. v. Toshiba Corporation et al,
3:17-cv-00462），並要求法院給予專利法284條加重三倍侵權賠償、
專利法285條合理律師費等法律救濟。
一、系爭專利及產品
本案系爭專利為美國專利編號6,552,360、6,788,602以及8,035,417
皆屬旺宏電子自行研發技術，專利發明主要涉及唯讀記憶體（ROM）、
快閃記憶體等產品之半導體電路組件等技術：
360專利發明主張一種適用於CMP工藝之半導體晶片襯底電路佈局，
602專利發明主張一種防止虛設單元（dummy cell）受到過度
抹除之半導體存儲元件及其操作方法，
417專利發明則主張一種可依據用途、
電源電壓和電負載等特性來設置適當驅動強度之輸出緩衝電路。
360及602專利皆有對應之台灣及中國大陸專利。
且有授權多家半導體廠商使用之紀錄。
本案為360專利第二次使用在關稅法337條訴訟，
其餘專利則為首次使用。專利資料、原告所主張之侵權產品
及受侵害請求項等資訊，詳見下表一整理。
本案系爭產品，以東芝生產販售之快閃記憶體產品為主（屬於NVRAM產品分類），
快閃記憶體主要使用在記憶卡、固態存儲硬碟、
可穿戴式電子消費產品如影音或攝像儀器等。
原告雖列舉部分記憶體型號及其美國進口商，
然特別說明，鑒於東芝方面不對外公開所有NVRAM產品型錄，
故須仰賴後續事實調查程序來確定所有侵權產品。
二、關於旺宏電子
旺宏電子位於新竹科學園區，為NVRAM世界級研發製造大廠，
產品以ROM（唯讀記憶體）、 NOR快閃記憶體)與 NAND快閃記憶體為主。
目前ROM記憶體市占率為世界第一，NOR快閃記憶體市占則為全球第二。
因前述Spansion公司為其主要市場競爭對手，故自2000年到2014年期間，
雙方曾爆發激烈專利戰爭，在美國聯邦法院及ITC相互提告
（相關資訊可參考「旺宏與Spansion互告侵權案件觀察」
介紹Read.aspx?PostID=9849），這些侵權官司，
至2015年年初已陸續雙方達成和解而撤銷。
旺宏電子自稱持有約5000件各國專利，以及約2000件美國專利，
智財實力擠進全球半導體廠商前二十強。專利資料庫查詢顯示，
目前旺宏電子持有3,930件美國專利及申請件，
較2014年約2,800件已有大幅成長。
當公司進行出售或上市前也是遭遇訴訟亂流最多之時，
旺宏趁東芝將出售金雞母晶片事業部門忙亂之際，
打亂東芝晶片部門出售價格，也示警接手的業者，
更是搶東芝的晶片下游客戶。
旺宏趁虛而入搶單，一舉多得。