[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet

作者: hn9480412 (ilinker)   2022-06-14 18:24:17
台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet 技術,與英特爾/三星競爭
作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 06 月 09 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 晶片
外媒《Extremetech》報導,晶圓製造的 FinFET 電晶體技術是自 2011 年以來開始使用,但隨著節點不斷縮小,FinFET 電晶體技術將被別的技術取代。台積電更新技術藍圖指出,準備好生產 2 奈米時,就會轉向奈米片 (Nanosheet) 晶體管技術,英特爾和三星也宣布類似計畫。
《EEtimes》報告討論台積電未來計畫,今年底開始 3 奈米量產,確認 3 奈米製程不會採用奈米片技術。奈米片是種環繞柵極 (GAA) 晶體管,有浮動晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布 RibbonFET 計畫,技術就類似奈米片。台積電預計 2 奈米奈米片量產 2025 年開始,但英特爾藍圖是 RibbonFET 於 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米製程轉向奈米線 (Nanowire) 製程,並宣布上半年量產。
比較台積電和英特爾量產時程,據經驗「量產」定義略有不同。英特爾產品上零售市場前,較短時間就宣布量產。台積電是向客戶銷售產品,客戶自行整合,因此台積電宣布量產到商用化產品出現需較長時間。
台積電不會短時間內開始量產 2 奈米製程,因預定 3 奈米製程將使用較長時間。業務開發資深副總經理張曉強指出,台積電 3 奈米製程將成為受歡迎節點,並是長節點,會有大量需求。但從 3 奈米到 2 奈米,因電晶體架構,奈米片對提高節能和計算效率有獨特優勢,觀察客戶產品,要求計算性能更高節能效果者,將首先轉向 2 奈米製程。屆時台積電還將與 2 奈米製程一起銷售 3 奈米製程。
三星已在進行 GAA 技術 3 奈米製程,似乎會使三星處於領先地位。然而市場分析師認為,太早脫離 FinFET 可能會嚇到高通和輝達等客戶,因只要有重大技術轉變,就很可能出問題,尤其產量時,可能刺激客戶停在 FinFET 技術 3 奈米製程,或等到 GAA 技術設計更成熟再採用,使台積電受惠可同時銷售 3 奈米和 2 奈米製程。
儘管如此,逐步脫離 FinFET 技術應使晶片晶體管密度和效率顯著進步。三星指出,與 7 奈米製程技術相比,3 奈米的奈米線設計晶體管密度提高 80%,還提高 30% 性能或提高 50% 節能效率。
https://tinyurl.com/yc4pu5s8
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作者: a000000000 (九個零喔)   2021-03-21 13:48:00
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