（國際）法國製造出導電性能極強的金剛石半導體
新華社巴黎７月２日（記者楊駿）
法國國家科研中心固體物理和結晶實驗室的科學家，
最近研制出一種比普通金剛石半導體導電性能高出近１萬倍的新型金剛石半導體，
為電子元器件的開發提供了新材料。(chinesenewsnet.com)
金剛石由碳原子構成，一般不導電，純淨的金剛石其實是良好的絕緣體。
但是，如果在金剛石中摻入少量的硼或者氮，它就會變成半導體。
由於金剛石半導體體積小、耐高溫，
因此它在電子或光電子元器件製造方面具有得天獨厚的優勢。
然而由於人們難以製造出具有更高導電性能的金剛石半導體，
所以進一步發展微電子元器件製造技術便遇到了瓶頸。(chinesenewsnet.com)
據英國《自然》雜誌的最新一期《物質》專刊報道，
法國國家科研中心固體物理和結晶實驗室的科學家認為，
傳統技術製造的金剛石半導體的導電性能不理想，
應該嘗試向金剛石半導體中加入新元素，
改變這種材料的部分碳結構，以提高金剛石半導體的導電性。
按照這一思路，研究人員將氫元素加入含有硼的Ｐ型金剛石半導體中，
結果發現，被研究材料轉化成了一種Ｎ型金剛石半導體，
其導電性比過去用傳統方法製造的金剛石半導體高出近１萬倍。(chinesenewsnet.com)
用金剛石半導體膜製作的芯片能在幾百攝氏度的高溫下正常工作，
而其芯片的工作溫度不能超過１５０攝氏度。
此外，金剛石電子元器件的體積可以更小，
它能夠在其電子產品無法應用的場合發揮不可替代的作用。
《物質》專刊評價說，法國科學家的研究成果將對微電子領域產生直接影響，
并為半導體的基礎和應用研究提供一片新天地。
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