無論是SK海力士或是三星都將於2024年全力往HBM和LLW DRAM的AI記憶體商機前進
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對於記憶體業者來說，AI正在驅動高階DRAM的需求，也在改變記憶體業者研發的方向。例
如：隨著AI伺服器對於記憶體晶片需求提高，特別是高頻寬記憶體（HBM），使得海力士
從2023年第二季就受惠這一趨勢轉變。畢竟，記憶體是GPU和AI加速器的重要組成部分。
如今這一趨勢開始吹向行動裝置市場，即是裝置上AI所需的記憶體。例如：為了支援蘋果
Vision Pro內之R1晶片的高速處理，SK海力士開發了客製化的1GB DRAM。這一新的DRAM將
輸入和輸出引腳的數量增加了八倍，以最大限度地減少延遲。此類晶片也稱為低延遲寬IO
（Low Latency Wide IO）。更重要的是，新晶片似乎還採用特殊的封裝方法（即是扇出
晶圓級封裝）設計，作為一個單元連接到R1晶片組。
三星為了追趕SK海力士的腳步，預計於2024年推出專門用於裝置上AI的LLW DRAM。根據三
星表示，LLW DRAM在處理即時數據方面比目前大多數行動裝置中使用的LPDDR模組更有效
。也由於延遲較低，使得LLW DRAM非常適合遊戲和人工智慧應用。
其實，三星最初是在2023年1月宣布了這項新的DRAM技術，後來又在10月重申了其能源效
率比普通 DRAM 提高70%，同時提高處理速度。三星為了提醒業界，於2023年11月底分享
了一段影片，展示了新型LLW DRAM的可能性。這段短影片展示了四種類型的裝置，即可適
用於智慧型手機、筆記型電腦、遊戲機以及可以從中受益的XR頭戴式裝置。在智慧型手機
上，LLW DRAM可能直接堆疊在應用處理器（AP）上方。
由於三星將於2024年下半年推出XR耳機。該產品由三星、高通和谷歌共同開發，可能會在
2024年7月或8月的Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6發布會期間正式發布。可想而知的
是，這款XR頭戴式裝置將會配備LLW DRAM。
由於蘋果的R1晶片是採用了扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術。而且三星的Exynos 2400也是
使用這項封裝技術。所以三星XR頭戴式裝置的應用處理器也可能採用扇出晶圓級封裝技術
。
隨著晶片產業正在跟隨著AI爆發式的成長而尋求更多商機，SK海力士和三星有機會依賴
HBM和LLW DRAM而受惠。事實上，AI技術的不斷增長、廣泛的影響以及對晶片的旺盛需求
將在未來幾年為該產業帶來福音。從長遠來看，AI是否能夠抵消記憶體市場中更大的問題
還有待觀察。不過，SK海力士、三星和美光等記憶體晶片生產商，勢必於2024年全力搶奪
AI帶來的新記憶體商機啊！