美中半導體管制持續交鋒 對岸國產化進程則是關鍵
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近期美中兩強關係並未和緩，且在以半導體為主軸的科技戰上持續交鋒，而備受市場矚目
則是美方透過盟友—日本對於半導體設備進行相關管制，即日本將先進晶片製造設備追加
列入出口管理的管制物件，其中涉及清洗、成膜、熱處理、 曝光、蝕刻、檢查等23個種
類的設備，除10~14nm先進製程設備外，也包括 45nm的成熟制程用光刻設備，並將於
2023年7月23日正式實行；至於中國的反制動作，尤以Micron(美光)在中國銷售的產品未
通過網路安全審查之影響最受關注，對岸則是以Micron產品存在較嚴重網路安全問題隱患
，對中國關鍵資訊基礎設施供應鏈造成重大安全風險，因而按照《網路安全法》等法律法
規，對岸關鍵資訊基礎設施的運營者應停止採購Micron的產品；而在美中半導體管制持續
交鋒下，中國國產化的基礎與進程、美國握有的半導體重要生產要素將是誰能勝出的關鍵
。
全球前三大半導體設備供應國—美、荷、日皆對中國出口進行相關的管制，此將截斷對岸
先進製程的發展，也波及部分成熟製程擴產的進程
若以美方聯合盟友對中國採取半導體設備的管制進程來看，首先自2022年10月美禁止用於
生產16/14奈米以下製程邏輯晶片、128層或以上NAND、18奈米以下製程的DRAM的設備等出
口；爾後2023年3月荷蘭將微影製程設備出口管制範圍由極紫外光擴大至最先進的浸潤式
深紫外光；日本新修正的限制政策則比市場原先預期嚴格，也就是10~14奈米先進製程設
備及小於45奈米的成熟製程用微影製程設備均受限制。事實上，由於2022年中國從日本進
口半導體設備佔進口總額比例超30%，況且中國代表性的半導體設備商例如拓荊科技(薄膜
沉積)、中微公司(刻蝕、薄膜沉積)、北方華創(刻蝕、薄膜沉積、清洗、氧化)、盛美上
海(清洗)、華峰測控(測試)等尚無法完全替補海外供應商的缺口，因此難免讓中國先進製
程的發展受到阻礙，也波及部分成熟製程擴產的進度。
此次中國制裁Micron事件，後續最終需留意美國的態度，南韓兩大記憶體廠能否供應中國
所需則是重點
若以Micron在全球與中國的記憶體地位來說，2022年第四季Micron在全球DRAM、NAND
Flash的市佔率分別來到23%、10.7%，各為第三名、第五名的供應商；若以在中國市場的
占比來看，Micron在中國DRAM、NAND Flash的市佔率約在15%、22%，遠不若南韓Samsung
加上SK Hynix合計的78%、49%，且總計2022年Micron中國業務佔該公司的比重達10.7%。
代表中國關鍵資訊基礎設施的運營者將停止採購Micron的記憶體產品，Samsung、SK
Hynix、長江存儲、長鑫存儲等廠商將迎來替代商機。
而中國期望除了讓選邊站還有些搖擺的南韓能有機會向中國來靠攏外，更重要的是扶植
NAND Flash業者的長江存儲、DRAM廠商的長鑫存儲等中國本土業者，意即美光在中國銷售
遇阻，對岸記憶體廠商將會有更多機會進入下游客戶的供應鏈體系，可望加速該類半導體
市場的國產化替代進程。但若以中國本土記憶體業者的技術實力與產能規模來看，其與國
際大廠間仍存有一定程度的差距，因而短期內長江存儲、長鑫存儲尚難以填補去Micron供
應鏈下的版圖。事實上，目前難題則轉向南韓，畢竟美國已向南韓政府施壓，要求
Samsung、SK Hynix不要嘗試填補Micron在中國留下的供應鏈缺口，顯然在中國制裁
Micron事件下，南韓的應對顯得有些尷尬。