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江承諭/綜合報導 2022-08-03
SK海力士(SK Hynix)稍早發表238層NAND Flash，繼美光(Micron)發表232層NAND後，在NA
ND Flash層數技術競爭中再度取得優勢，同時也將拉大與長江存儲等競爭業者的差距。
綜合SK海力士及韓媒Digital Times、Ddaily、韓國經濟等消息，SK海力士稍早於2022年
全球快閃記憶體峰會(Flash Memory Summit；FMS 2022)中，公開238層512Gb TLC 3D NAN
D Flash樣品，預計於2023年上半投入量產。
據悉，本次SK海力士研發的238層NAND不僅層數提高，也是目前業界最小尺寸。生產效率
相較前一代的176層NAND提高34%，資料傳輸速度提高50%，達到每秒2.4Gb。此外SK海力士
指出，新一代NAND Flash晶片讀取資料時能源消耗量減少21%，在ESG方面也取得成果。
SK海力士自96層NAND開始採用電荷儲存式快閃記憶體(CTF)結構、Peri Under Cell(PUC)
技術，雖然本質上仍屬3D NAND，但SK海力士以4D NAND作為宣傳。4D相較3D具備單元面積
減少，生產效率提高等優點。
SK海力士計劃首先供應使用於客戶端固態硬盤(cSSD)的238層NAND，之後擴大到智慧型手
機用和伺服器用高容量SSD等，並於2023年進一步推出1Tb產品，比既有512Gb容量提高2倍
。
SK海力士表示，自2020年12月研發176層NAND以來，時隔1年7個月成功開發出新一代技術
。特別是此次238層NAND既是最高層數，也是全球最小尺寸，極具意義。