三星宣稱 3奈米GAA製程研發進度領先台積電
https://udn.com/news/story/6809/5701303
南韓媒體Business Korea報導，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung
周三（25日）在一場網路技術論壇中表示，三星能夠搶在主要競爭者台積電（2330）之前
，宣布GAA（閘極全環）技術商業化。GAA技術是次世代晶片先進製程的核心。
三星在線上舉辧三星技術與職涯論壇，Jeong Eun-seung發表專題演講。他說：「我們開
發中的GAA技術，領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可
更加成長。」該論壇是三星裝置解決方案事業部門為吸引全球工程人才所設。
Business Korea指出，GAA是3奈米製程的關鍵，全球大型晶圓廠不久的將來將會採用這項
技術。GAA技術的優點在於改變電晶體架構，將之由鰭式場效電晶體（FinFET）的3D轉為
GAA的4D。三星2019年與客戶測試其所設計的3奈米製程，結果顯示，GAA技術縮減晶片面
積程度達到45%，功率效率增加50%。
不過半導體業分析師強調，誰可以率先將GAA技術商業化，還需要再觀察，主要因為以
2011年到2020年全球申請GAA相關專利的案件數來看，台積電占比31.4%，比三星的20.6%
還要多。台積電也非常活躍，想搶先將GAA商業化。
三星表示，與台積電在技術方面的競爭近身肉搏，Jeong說：「三星的晶圓代工事業2017
年才開始，不過我們將以在記憶晶片領域的技術根基，超車台積電。」他舉例三星曾在台
積電之前，就將FinFET技術應用在一項14MHz產品。