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SiC技術門檻高 鴻海買廠恐先賠5年
2021/08/07 05:30
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鴻海前天公布買下旺宏位於竹科的６吋晶圓廠，董事長劉揚偉（右）表示，將會當集團半
導體事業群總部，作為氮化矽研發基地與生產線。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕鴻海（2317）以25.2億元買下旺宏（2337）位於竹科6吋晶圓
廠，將發展電動車需求的第三代半導體碳化矽（SiC）功率元件；半導體業界紛認為，SiC
技術門檻高，鴻海花高價買廠，也要再花數十億元投資相關設備，技術來源尚未確定，半
導體業估這投資恐至少要先賠5年。
投資相關設備需數十億
針對買下旺宏廠發展SiC功率元件，鴻海董事長劉揚偉5日於簽約記者會上也提到，未來還
要投資數十億。
第三代半導體包括碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料的功率元件，特斯拉電動車就是
採用SiC，鴻海董事長劉揚偉表示，車用強調安全，電動車需要快速充電，但同時要承受
高電壓與高電流，才能散熱快，比起其他功率元件，SiC功率元件擁有上述優越特性，畢
竟車用牽涉到安全與性能，鴻海購買6吋晶圓廠，選擇作為SiC研發與小量生產的基地，也
會跟歐美等供應商外購。
半導體業界指出，SiC技術門檻高，科銳（Cree）、英飛凌（Infineon）、羅姆（ROHM）
等國際廠商，雖已跨足量產SiC領域，因SiC尚未大量商業化，目前價格昂貴，一片6吋SiC
晶圓高達2-3千美元；漢民集團董事長黃民奇被視為最有耐心耕耘前瞻技術，旗下的漢磊
（3707）是台灣唯一投入研發SiC超過10年的廠商，也建置4吋與6吋產線，但仍持續努力
改善良率，送客戶驗證，目前貢獻營運還不顯著，不過拜晶圓代工供不應求、漲價效應，
今年上半年才轉虧為盈。
劉揚偉表示，鴻海已跟國內機構開始進行SiC技術研發中；業界認為，顯見鴻海技術研發
還需時間，可能會尋求國際廠商技術授權較快。
旺宏6吋廠賣25.2億元，比業界預期高10多億元，鴻海還要添購數十億元投資量產SiC相關
設備，往後每年成本攤提恐要數億元以上，加上從研發到送客戶認證時間很長，往往要多
年，且鴻海算是半導體跨足晶圓廠的新秀，找誰來掌舵與整合晶圓廠團隊也是重要關鍵。