意法半導體全球首家採用8吋晶圓製造SiC，有助於降低成本帶來競爭力
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為了擴大在SiC半導體的優勢，意法半導體（STMicroelectronics）宣佈，將在瑞典Norrk
öping工廠製造出首批採用8吋晶圓的SiC晶片，以讓其可用於生產下一代雛型的功率產品
。對於意法半導體來說，將SiC晶圓升級到8吋晶圓標誌著其未來在汽車和工業客戶上能鞏
固其地位。
根據意法半導體表示，首批8吋SiC晶圓片在品質上，受晶片良率和晶體差排缺陷非常少。
意法半導體之所以能取得低缺陷率，主要原因2019年其收購Norstel公司，讓其在SiC錠生
長技術開發方面獲得深厚積累的經驗。除了晶圓片滿足嚴格的品質標準外，SiC晶圓升級
到8吋還需要對製造設備和整體支援生態系統進行升級更換。意法半導體正在與供應鏈上
下游技術廠商合作開發自己的製造設備和製程。
意法半導體量產的STPOWER SiC是在義大利的Catania和新加坡的宏茂橋兩家6吋晶圓廠完
成，後端的組裝與測試則是在中國的深圳和摩洛哥的Bouskoura兩家封測廠進行。未來隨
著8吋廠建廠完成，將能進入更先進的、且具高成本效益的階段。意法半導體希望到2024
年SiC晶圓升級到8吋之前，能夠在SiC基板上建立新廠，並超過40%是由內部生產而得。
未來幾年，汽車和工業市場正在加快推進系統和產品電動化進程，因而讓SiC晶圓升級到8
吋將會它們在汽車和工業領域帶來優勢。畢竟，在整個製造鏈中，透過內部SiC生態系統
積累深厚的專業知識很重要之外，其必須擴大產量，並採取規模經濟戰略，讓其在製造靈
活性，以及更有效地控制晶圓片的良率和品質獲得一定平衡。
根據ReportLinker研究指出，2020年全球碳化矽（SiC）功率半導體市場規模達6.2872億
美元，預計到2026年將達47.0871億美元，從2021至2026年之間的年複合成長率將達
42.41%。尤其隨著電動車和工業製造過程中，SiC功率的應用比例不斷提高，這給意法半
導體搶奪市場帶來新的競爭力。
根據專家表示，與6吋晶圓相比，8吋晶圓可增加產能，亦可將製造積體電路可用面積擴大
1倍之多，因此可運作晶片產量是6吋晶圓的1.8至1.9倍。
以成本角度來看，近年來許多競爭者正透過新的SiC設計來滿足電動車日益增長的高功率
要求。然而，SiC仍然比矽貴得多，而且矽技術也在不斷進步，如果意法半導體能夠透過8
吋晶圓廠製造，這能夠完成系統設計總體成本的降低，就成為勝出的關鍵了。