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台積3奈米技術 跨步
2021-06-18 05:32 經濟日報 / 記者尹慧中/台北報導
台積電積極衝刺3奈米開發,預計2022年下半年量產,重要合作夥伴應用材料、新思科技
昨(17)日同步發布最新3奈米技術創新的進展,為台積電3奈米量產預作準備。
台積電預期,3奈米效能可較5奈米提升10%至15%,功耗減少25%至30%,邏輯密度增加1.7
倍,SRAM密度提升1.2倍、類比密度則提升1.1倍等。目標3奈米量產第一年,客戶產品量
能達到5奈米兩倍以上,廣泛應用於智慧機與高速運算(HPC)平台。
台積電業務開發副總張曉強日前在技術論壇上透露,台積電認為繼續採用鰭式場效電晶體
(FinFET)架構開發3奈米製程,能幫助客戶取得成功的最佳方案。
對於3奈米,應用材料昨日宣布,已推出一種嶄新的布線工程設計方法「Endura Copper
Barrier Seed IMS」 ,能促使先進邏輯晶片微縮到3奈米及更小尺寸。目前全球各大晶圓
代工邏輯客戶已使用該系統。
新思也針對台積最先進3奈米製程技術發表相關方案,其數位與客製化解決方案已通過台
積最新設計參考流程及製程設計套件的認證。