GaN RF器件市場將於2026年成長至24億美元
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根據市場分析公司Yole Développement報告預測，GaN射頻器件市場正以 18%的年複合成
長率，從2020年的8.91億美元增長到2026年的超過24億美元。並預計到2026年，GaN射頻
器件市場將由國防和5G電信基礎設施應用主導，分別佔整個市場的49%和41%。尤其是，到
2026年，基於GaN的大型/微型基地領域將佔GaN電信基礎建設市場的95%以上。
在RF GaN產業，一切都始於GaN-on-SiC技術。20多年前推出的GaN-on-SiC 現在已成為射
頻功率應用中矽LDMOS（Lateral Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor；橫向雙
擴散金屬氧化物半導體）和砷化鎵（GaAs）的有力競爭對手。
Yole Développement表示，鑑於新興的GaN RF市場，近年來的顯著投資一直在塑造未來
供需之間的關係。例如：設備的市場領導者SEDI（住友電工設備創新）已與領先的SiC晶
圓供應商II-VI合作進行垂直整合。
在5G電信和國防領域的推動下，GaN-on-SiC技術在高功率密度和導熱性方面仍然是首選。
除了在軍用雷達方面的深度滲透外，GaN-on-SiC也一直是華為、諾基亞、三星等電信廠商
在5G MIMO基礎設施的選擇。
由於其高頻寬和效率，GaN-on-SiC器件在5G市場，不斷從LDMOS中搶奪更多佔有率，並開
始從6吋晶圓平台中受益。預估GaN-on-SiC器件市場正以17% 的年複合成長率從2020年的
3.42億美元增長到2026年的22.22億美元。
在2020年，恩智浦在美國亞利桑那州建立了世界上第一家6吋的GaN-on-SiC晶圓廠。因此
，GaN-on-SiC基板正從4吋轉到6吋的過渡中，預計未來幾年將加速。
在代工層面，台灣的穩懋半導體等主要參與者正在擴大產能以滿足不斷增長的市場需求。
此外，在中國有山東天岳、中國電科、海威華芯和三安集成等公司，山東天岳在上海投資
了一個新的6吋工廠。
GaN-on-Si作為挑戰者，有望藉由提供具有成本效益和可擴展性的解決方案，來說獲得市
場青睞。儘管截至2021年第二季為止，其市場仍舊很小，但GaN-on-Si PA因其具備較大頻
寬和小尺寸也正吸引智慧型手機廠商的注意。預估隨著創新廠商的重大技術進步，其可能
很快就會被一些Sub-6GHz的5G手機採用。這標誌著GaN-on-Si射頻的一個里程碑。
隨著MACOM和意法半導體於2019年合作在6吋平台上的開發，GlobalFoundries和Raytheon
於2021年宣佈也建立合作夥伴關係，以瞄準5G無線應用、國防及其他領域。Yole預估，在
手機以及國防和5G電信基礎建設應用的推動下，GaN-on-Si器件市場正以86%的年複合成長
率前進，進而讓2020年不到500萬美元的市場，成長到2026年的1.73億美元的規模。