台積電2奈米將採用哪種技術？
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根據台積電8月25日線上舉行2020技術論壇，隨著台積電7奈米(nm)已廣泛生產和5nm的大量製造步入正軌，3奈米廠正在南科廠興建中、並將新建特殊製程與先進封裝廠，規劃2022年下半年進入3nm量產，並宣稱已經開始了2nm的初步研究階段。
雖然，台積電並未說明在2nm具體會採用哪種技術，但根據國際元件設備和系統技術藍圖(The International Roadmap for Devices and Systems ; IRDS) 在2018年名為 "More Moore"（指的是摩爾定律的持續擴展）的章節中描繪了先進節點技術未來預期的發展：
IRDS預期GAA FET (Gate-all-around FET) 和FinFET將在3nm共享市場，GAA FET將在2nm時取代FinFET。LGAAFETS 指的是側向閘極全環FET (lateral gate-all-around FETS)，也就是傳統2D處理器中的GAA FET。Vertical GAA FET將用於尚待開發的3D電晶體結構中。
令人驚訝的是，IRDS預測193nm微影製程技術( lithography)的部署遠到2034年仍會看到。本來以為EUV已經征服了所有前緣節點的市場，但在報告中沒有找到支持該論調的解釋。
IRDS預測高數值孔徑 (High-NA) EUV正進入部署階段。NA數值孔徑指的是系統可以接受任何角度發射光(emitted light)的範圍。因此，開發較大角度範圍以支持EUV有效劑量的光學系統已成為當務之急。也就是說，高數值孔徑的替代方案是轉向發展Multi-patterning（多重曝光）EUV。IRDS預測，將看到高數值孔徑系統首先在2nm部署。
3D堆疊技術預計不會有太大變化，晶粒到晶圓 (die-to-wafer) 和晶圓到晶圓 (wafer-to-wafer) 將部署在3nm節點上。預測下一次重大節點轉變在2028年將引入一套新技術。
目前還不清楚性能上會有什麼樣的提升。根據台積電的說法，5nm節點對於密度來說是一個巨大的飛躍〈提高了80%〉，但對於功耗〈1.2倍等速性能〉和性能〈1.15倍等速功耗〉來說，只有很小的差距。這些對於重大的節點轉變來說是非常小的進展，意味著我們不應該期待僅依靠節點密度的轉變，是無法帶來大量的性能提升。目前還不清楚，這是否會成為新常態還是只是短暫的停滯。
值得注意的，IRDS基於他們在2018年做的預測，而推估2025年推出2.1nm、2028年推出1.5nm。IRDS宣稱並不清楚英特爾、台積電或三星將推出先進節點的確切時間表。隨著5nm在2020年推出，可以合理推估在2022年推出3nm，在2024 - 2025年推出2nm。
預計未來的一個趨勢，英特爾和AMD正在設計新的功能，以繼續提高性能， Chiplets、HBM、EMIB、Foveros以及類似的技術都可以推動更高的性能，而不需要依賴傳統式更小的電晶體、更低的電源電壓等。目前，業者反而需要投入大量的資源來優化材料工程和電路佈局，以此來提高性能或降低功耗。
在台積電2020技術論壇，魏哲家表示將整合旗下包括SoIC(系統整合晶片)、InFO(整合型扇出封裝技術)、CoWoS(基板上晶片封裝)等3DIC技術平台，命名為「TSMC 3DFabric」，也在今年明顯突破技術瓶頸，預料將在明年(2021)下半年量產使用。