紫光集團進行組織重整：紫光存儲朝DRAM、長江存儲朝3D NAND發展
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最近，中國國家集成電路產業投資基金（大基金）配合政府半導體發展策略又開始積極運
作起來，同時也帶動重點扶植企業進行組織業務調整。
紫光展銳獲大基金二期及上海國資各注資22.5億元
2020年3月18日傳出中國國家集成電路產業投資基金（大基金）投委會，已經通過對於紫
光展銳的投資決議，計劃投入約22.5億元人民幣；同時，上海國資也投22.5億元人民幣，
合計45億人民幣。這也將向紫光展銳於2021年科創板上市邁進一大步。
中國大基金二期於2019年10月成立，註冊資本為2041.5億元，兩倍於一期資本。市場傳聞
稱，國家大基金二期將於2020年3月底開始實質投資。
紫光展銳成立於2013年，是一家行動通信和物聯網領域核心晶片研發設計商。產品涵蓋
2G/3G/4G/5G 移動通信晶片、物聯網晶片、射頻晶片、無線連接晶片、安全晶片、電視晶
片等多個領域。目前，紫光展銳的前三大股東的持股比重分別為紫光展訊投資57.14%、西
藏紫光新微電子16.81%、英特爾(中國)14.29%。
事實上，紫光展銳是中國政府重點扶植的晶片設計公司，目前市值高達630億元，其中大
基金二期注資22.5億元，將可取得展銳約3.57%的股份，再加上大基金一期間接持有的展
銳的17.142%的股權，國家大基金將總共取得展銳20.712%的控制股權。同時，紫光展銳也
計劃2021年在科創板上市。
紫光集團進行組織重整：紫光存儲朝向DRAM、長江存儲朝3D NAND發展
在紫光展銳剛獲大基金注資22.5億元的同時，市場傳出紫光集團旗下子公司紫光存儲即將
解散之消息。隨之，紫光存儲出面闢謠表示，將對相關業務進行重新聚焦，也就是壓縮了
NAND部分產品線，未來隨著長江存儲3D NAND穩步量產，相關業務將逐步轉移到長江
存儲；同時，紫光存儲將朝增強DRAM部分產品線方向前進。
其實，紫光集團2014年確立發展儲存型快閃記憶體(NAND Flash) 路線，由長江存儲、合
肥長鑫、福建晉華為研發主力，後來合肥長鑫併入長江存儲。其中，長江存儲預計於今年
(2019)底量產中國首款自主設計的 DRAM記憶體零件，月產能約 10,000 片矽晶圓。但是
，這目標受到美中貿易戰影響可能尚難達成，現在為集中資源，將發展業務重點區隔由紫
光存儲朝DRAM自主發展，而長江存儲朝3D NAND發展。
紫光集團曾於2019年6月宣布，未來10年投資8000億元人民幣（逾新台幣3.5兆元），以加
速DRAM晶片大規模生產。由大基金扮演金主“點火”角色，再由紫光集團推動中國NAND
Flash、DRAM生產鏈。由於紫光集團是中國政府重點扶植的指標廠商，紫光決定自主研發
DRAM，必定獲得大基金和重慶產業基金的大力投資，初期研發中心將設在武漢，待研發有
了成果才會在重慶設廠生產。紫光集團DRAM事業群，委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董
事長，高啟全為DRAM事業群CEO。