作者:
negohsu (專打不專業環團)
2019-12-03 14:42:47這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。
光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光
阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。
光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體的
製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中，用來表現製程能力
的代稱，在記憶體(ex:NAND)，這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。
要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小，詳細請餵狗。總的來說，用波長較短的光是最簡
單的。如KrF波長248nm，ArF波長193nm，這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um，A
rF對應0.13-0.18um
EUV波長為13.5nm，對應的則是則是7nm,5nm或以下。
從130nm - 7nm中間的空缺，則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。
對應不同波長的光，就會有不同的光阻，一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用，Ar
F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。
一般來說，7nm，5nm用到EUV，光阻就會跟14nm相異。如果7nm，5nm還是使用193i搭配多
次圖型化技術，那跟14nm使用的光阻大致上一樣。
當然，光阻會有很多改進。當光波長變短，對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法
，就是更不耐蝕刻)。
光阻廠商會做很多的調整，讓光阻厚度，均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺
陷(defect)的改進，同樣都是KrF，各家使用也是有所不同。
簡單科普，希望有幫到你。
作者: kk123 (￣▽￣) 2019-12-03 16:13:00
☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆
作者:
sdbb (幫我泡杯卡布奇諾)
2019-12-03 16:15:00先推再看，謝謝
作者: JJiaK 2019-12-03 17:26:00
輕輕鬆鬆問出技術細節 保密都不用了
作者:
jeff40108 (死得腥羶豔油劑是他)
2019-12-03 17:33:00估狗就有的要保什麼密XD
作者:
ssmmll (sml)
2019-12-03 17:42:00保密 XD
作者:
motan (警察先生就是這個人)
2019-12-03 17:51:00感謝科普，文組表示知道了。
作者:
luche (luche)
2019-12-03 17:54:00直接回我 5434現在是便宜還是貴?
作者:
a810086 (乂佛手乂)
2019-12-03 18:11:00認真文推一個，黃光製程基礎入門課
作者:
djboy (雞尾酒)
2019-12-03 18:21:00推
作者:
wzmildf (我ä¸æ˜¯è˜¿èŽ‰æŽ§)
2019-12-03 18:52:00這東西隨便買一本半導體製程課本應該都有吧..
作者: nastie (奈斯) 2019-12-03 18:54:00
推 用心回覆
作者:
double21 (我不是雙二一)
2019-12-03 19:07:00對我們門外漢科普一下還是很有用的！感謝！
作者:
maikxz (超級痛痛人)
2019-12-03 19:10:00笑死這細節機密XDDDDDDDDDDDD
作者:
newper (別當Google不存在)
2019-12-03 19:53:00感謝分享，這篇把我的記憶都找回來了XD，我是開篇原PO因為成功轉Q，我那本半導體製程早就丟了(不知道華通書局還在不在)
作者:
a810086 (乂佛手乂)
2019-12-03 20:06:00我記得台灣還是有可以自製的半導體光阻，但是良率不好
作者:
faniour (å®…å®…)
2019-12-03 20:18:00依進步的速度，生產對應的光阻，資本支出要很大機台不更新很難做對應的產品另外如果沒有一間公司願意陪練，很難做出成熟產品再加上信心度跟品牌形象問題，很難有後面的競爭者
作者: superex 2019-12-03 20:30:00
推
作者:
dxdy (=ρdρdφ)
2019-12-03 20:33:00誰給你基本知識 這根本是常識
作者:
Qcloud (Direction)
2019-12-03 20:34:00推
作者:
ddiuyxx (ddiuy)
2019-12-03 20:56:00認真文
達興的不錯啊 但僅限於面板業，半導體光阻還是AZ和日商為主
作者:
loveFigo (對酒當歌 人生幾何讓人受)
2019-12-03 22:05:00推科普
作者:
kurll (狂)
2019-12-03 22:13:00真正的機密是參數設定跟process內容好嗎 某樓？
作者: qwe172839 (你何不食屎) 2019-12-03 22:25:00
感謝休息時間不多的黃光弟兄還出一篇好文
作者:
loveFigo (對酒當歌 人生幾何讓人受)
2019-12-03 22:35:00光阻（PR) 基本上就高分子跟紫外光反應，被UV能量打斷鍵結的部份顯影就被洗掉不同波長能量不同，會產生斷鍵反應的鍵結也不同
作者:
jfsu (水精靈)
2019-12-03 22:44:00BL/WL pitch 的1/2 是DRAM, NAND不是用這個算的唷
作者:
h321123aa (the king of toolman)
2019-12-03 22:46:00這就大方向提一提，機密在哪…
作者:
loveFigo (對酒當歌 人生幾何讓人受)
2019-12-03 22:56:00其實記憶體跟logic線寬不能直接對應搞不好記憶體的19nm design rule 跟logic對應起來接近7nm.(純舉例，詳細數字我也不知道
作者: bopanda 2019-12-03 23:40:00
推
作者:
Mei2521 (Mei2521)
2019-12-04 02:15:00機密啥 我上課做的報告都比這詳細
作者:
CarlOrz (凱爾)
2019-12-04 02:32:00推
作者:
homer00 (肥宅鄉民)
2019-12-04 06:32:00推一下
作者:
mmx9797 (MMX)
2019-12-04 07:39:00隔行如隔山 這真的算常職了
作者:
faniour (å®…å®…)
2019-12-04 08:21:00光阻有正負型的差別大部分的光阻是光酸或光起始劑去跟成份反應高分子比較少做為吸光中心，斷裂也是斷側鏈為主
作者: ato99 (play) 2019-12-04 09:29:00
那同光源為何也有不同光阻的配置是和後續流程有關嗎？
作者:
geniusw (silence)
2019-12-04 09:59:00太神啦
作者:
b777300 (su35s)
2019-12-04 11:29:00陰刻跟陽刻
作者:
ngxx (ngx)
2019-12-04 11:32:00機密 ㄎㄎ
作者:
c08371 (梅子站長)
2019-12-04 12:56:00你這段能默寫也沒辦法pass大學部蝕刻課 是要去面試掃地工嗎
作者:
loveFigo (對酒當歌 人生幾何讓人受)
2019-12-04 15:14:00印象中正型解析度比較好，小線寬幾乎都正型？如果同樣喊7nm, I皇線寬會比較小後來I皇就出來講要比單位面積電晶體密度
作者: modkk (魔德軻軻) 2019-12-04 21:06:00
這機密啥？機密是如何做到，不是原理還有AZ已經被併購了，目前唐榮那邊主要是做面板光阻，半導體沒那麼多
作者:
yclt (yeh)
2019-12-05 00:46:00推推
作者:
ISNAKEI (上班好同事，下班不認識)
2019-12-05 10:28:00負光阻用在面板的彩色濾光片比較多
作者:
koibido (阿薩布魯)
2019-12-05 19:30:00推
作者: carterlin (pango) 2019-12-06 08:16:00
感謝囉 之前看同機台但轉layer而有speedloss
作者:
frontseat (運動會變高!!是要這樣啊!)
2019-12-06 14:06:00一般台灣研發以為原理是機密?原理不是入門的基本能力嗎？偏偏一堆台灣研發連基本原理都不太懂 才會東藏西藏自以為是機密 哈哈