這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。
光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光
阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。
光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體的
製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中，用來表現製程能力
的代稱，在記憶體(ex:NAND)，這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。
要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小，詳細請餵狗。總的來說，用波長較短的光是最簡
單的。如KrF波長248nm，ArF波長193nm，這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um，A
rF對應0.13-0.18um
EUV波長為13.5nm，對應的則是則是7nm,5nm或以下。
從130nm - 7nm中間的空缺，則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。
對應不同波長的光，就會有不同的光阻，一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用，Ar
F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。
一般來說，7nm，5nm用到EUV，光阻就會跟14nm相異。如果7nm，5nm還是使用193i搭配多
次圖型化技術，那跟14nm使用的光阻大致上一樣。
當然，光阻會有很多改進。當光波長變短，對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法
，就是更不耐蝕刻)。
光阻廠商會做很多的調整，讓光阻厚度，均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺
陷(defect)的改進，同樣都是KrF，各家使用也是有所不同。
簡單科普，希望有幫到你。