日韓貿易戰加劇，日本管制關鍵高純度氟化氫等應用在極紫外光（EUV）原料輸韓，直接
打亂三星衝刺7奈米以下先進製程布局，預料受原料管制趨嚴下，三星要藉衝刺先製程搶
食台積電晶圓代工大餅的難度大增，並加速台積電拉大和三星差距。
日本限制光阻劑、高純度氟化氫及聚醯亞胺等關鍵半導體原料輸韓，雖然南韓半導體廠仍
可透過專案審查程序申請，但進口時程將由過去簡化程序拉長至90天（專案審查期），包
括三星和SK海力士除均對外收購既有三項原料存貨外，也透過專案申請、加速他廠認證雙
管齊下，希望將衝擊降至最低。
半導體業者表示，由於目前三星和海力士記憶體庫存仍高，日本管制光阻劑等三項半導體
原料輸韓，韓廠可將生產快閃記憶體（Flash）的原料轉去支援利潤較高的DRAM，並趁機
抬高價格、消化庫存，對三星和全球DRAM供給，短期還不會構成太大影響。
不過，日本廠商生產用於先進製程的高純度氟化氫，目前替代廠商占比極低，將直接衝擊
三星在半導體先進製程布局。
據了解，三星稍早也曾透過台灣廠商轉手賣給三星，不過台廠擔心台韓出口高純度氟化氫
，將遭日本原廠發現異常，拒絕這項交易，讓三星吃到閉門羹。
高純度氟化氫是在採用極紫外光（EUV）進行光罩製程時，要讓積體電路精準對位的蝕刻
材料，而三星也靠著7奈米製程導入EUV微影設備並成功搶下高通和輝達等前往下單的重要
利器。
如今日本管制這項原料輸韓，雖然三星正自行生產這項關鍵化學品，但這又等於讓製程良
率增添變數，而且三星也是領先全球把EUV設備導入生產更先進的DRAM產品的大廠。
半導體業者分析，三星發展7奈米以下製程受阻，未來要追趕台積電，得花費更大的財力
和物力 ，日韓貿易戰其實反而助攻台積電拉大和三星差距。
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