※ 引述《MSE2005 (混吃等老死)》之銘言：
: 今天跟友人聊到這話題, 突然有點腦袋當機的fu,
: 講到Dram, logic IC, 大家都可以馬上反應出是哪些公司在做,
: 哪些是該領域技術領先者,
: 但是仔細想想, 對工程師而言, 不管你是在TSMC或是在美光,
: 一樣式做黃光, 蝕刻, 電鍍.....
: 那兩者差別在哪?
: 我可以這樣說嗎?
: 同樣是木工跟水電, 上面設計師不一樣(dram, logic),
: 所以有些去蓋巨蛋, 有些去蓋高鐵, 有些去蓋豪宅,
: 雖然都是水電木工, 但是後來分化的強項就不一樣
: 還是說, dram比較像是專門生產系統櫃的公司,
: 然後logic比較像是統包監工(室內設計師)要把不同的家具系統櫃最美化
: dram一樣有線寬競爭 (雖然該線寬的定義跟logic不同)
: TSMC一樣有接dram的單....所以表示TSMC要發展dram也不是不可能,
: 那麼, 台灣會輸掉dram的原因是什麼?
原文的推文中，其實多少有提到兩者的差異性。
這樣說好了，DRAM或是其他所謂的記憶體製程，所注重的是〔前段製程〕，
即重視元件的製作。邏輯IC所注重的是〔後段製程〕，也就是金屬連接線之間的處理
例如，使用銅製程或是Low-K的材料減少RC delay，或是使用High-K/Metal-K來減少
電晶體閘極漏電流或是加快切換速度。
台灣的記憶體公司並不會將太多的人力投注於後段部份，畢竟，記憶體產品的重點是在
記憶元件(或是稱為記憶細胞(cell)，如同大家所熟知DRAM的1T+1C的架構。公司會研究
你要用溝渠式(trench)或是堆疊式(stack)去長出好的電容，畢竟，這是DRAM cell的
精華所在，如果連cell都長不好，遑論其他的部份。至於DRAM cell以外的周邊電路
只要可以正常操作就已足夠，因為公司也沒太多錢讓你去燒...。
這些製程考量的差義，自然而然就會反應在電路設計上。
(一個使用全新的製程所設計的記憶體產品從design start到Tapeout可能需要8~12個月，
相對而言，邏輯產品可能就短的多了)
再者，你也提到一個差異點，好比我們稱這是XX奈米的製程，這些數字:
對邏輯產品而言，指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length)
對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離
這些都是不同的意義。(搞不好，有些人都分不清上述的區別！)
另外，台積當然可以搞個DRAM製程。別說是DRAM, Flash/PCM/ReRAM也都沒問題，畢竟
這些記憶體產品都是相容於CMOS製程，差在於多幾層光罩而已。(當然啦，多這幾層光罩
就能搞得你不要不要的~~)
只是，這要花多少錢？畢竟公司是以賺錢為目的，記憶體市場的代工利潤是不是夠好？
產能利用率高不高？市場在哪邊?....等等許多因素要考慮。韓國，如三星，幾乎是
傾盡國力去support這家公司，光是研發費用可能就遠遠超過台灣所有DRAM廠的某N季
的總營收...
台灣DRAM廠多半只能尋求歐美日的結盟，簽簽技轉，空個產能出來...畢竟現在
要趕上世代的落差已是不可能的事...。