礙於美中貿易緊張，聯電（2303）擬縮減對福建晉華的技術協助，《日本經濟新聞》報導
指出，這代表習近平力推中國晶片自製的努力，遇到另一波阻礙。
日經引述知情人士說法指出，礙於華府與北京當局關係緊張，聯電將縮減與中國合作夥伴
福建晉華聯手推動的晶片計劃規模，可能將DRAM團隊近半數約140人移至新職位。
這是聯電朝停止開發記憶晶片跨出的第1步，若持續與晉華合作，未來恐在引進美國技術
和半導體生產設備上受限，甚或流失美國訂單。
習近平的「中國製造2025」目標，在半導體業計畫壯大長江存儲、合肥長鑫和福建晉華3
家大廠。但福建晉華的數10億美元投資，已經變得不明朗。
美光2017年指控，聯電為福建晉華竊取其商業機密，將2家公司告上加州法院；聯電也在
中國告美光侵權。
日經報導指出，聯電擔心與美光之間的侵權糾紛會傷害其主力代工事業，已決定退縮與福
建晉華合作。
福建晉華原本預計，最快2019年開始量產基於聯電技術的晶片，但現在看來可能性很低。
中國目標2025年前生產70%自用晶片，目前估計在10-30%，使中國企業被迫仰賴外國晶片
廠。
中國下決心發展半導體業以來，台灣一直是最重要的技術來源。聯電是最早與中國合作的
台灣晶片廠之一，2000年代初就中國投資並轉移技術，去年宣布還要讓子公司和艦在大陸
A股上市。
但美中貿易緊張，迫使聯電重新思考中國策略，受影響將不只福建晉華。美、歐、日晶片
設備業者，都將陸企視為高風險的合作對象，愈來越猶豫出貨給長江存儲及合肥長鑫。
中國在晶片設備上仰賴外國業者，同時也缺乏國內晶片設計人才，這股趨勢將威脅習近平
晶片自製的長期目標。（吳國仲╱綜合外電報導）
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