南韓KAIST之FinFET勝訴、三星判賠4億美元
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關於FinFET 製程專利糾紛，南韓科學技術院KAIST指控三星、Global Foundries、高通等
三家被告專利侵權案，於2018年6月15日美國德州東區法院陪審團評決侵權成立，侵犯其
中一件專利US6,885,055，並對三星需判賠 4 億美元。陪審團評決內容：
(1) 三家被告皆侵犯專利US6,885,055 之Claims 1-6, 11-13, and 15-17
(2) 爭專專利US6,885,055並未無效。
(3) 三星被評決惡意侵權'055專利。
(4) 以優勢證據而評決公正合理地賠償KAIST損失，陪審團判賠三星需支付4 億美元，而
另兩家被告Global Foundries、高通則賠償金0元。
因目前，三星被評決惡意侵權成立，法官是否會再判三倍賠償可能高達12億美元？仍待觀
察。
對本案陪審團評決後，iKnow之觀點：
本案後續是否將擴大影響到台積電(TSMC)，還要觀察。現在，KAIST已取得法院背書，證
明專利有效性，同時，競爭對手Intel也取得KAIST授權使用FinFET製造晶片，證明該技術
在美國具有產業要件。而另兩家被告Global Foundries、高通，雖侵權卻被判0元賠償金
，很可能與原告KAIST達成某種協議。
FinFET專利技術將是半導體廠必爭之地，而KAIST IP具南韓官方色彩的機關，他的下一步
棋如何走，很是關鍵，可能牽動台韓美之半導體版圖變化。