不好意思
這類問題我認為有業界經驗的人會比較清楚
所以前來詢問
這個月我進行微感測器的製作
製程僅三道光罩製程
基板有事先沉積5000A的二氧化矽
目前進度是僅完成第一道光罩製程
即是：微影→BOE蝕刻→離子佈值→退火
目前於第二道光罩製程的微影上卡關
https://i.imgur.com/SyajyDr.jpg
https://i.imgur.com/KszApqi.jpg
將目前的試片
直接用顯微鏡照射能看到淺淺的圖型
但是一旦塗佈上光阻
就什麼都看不到了
https://i.imgur.com/lPyVeme.jpg
https://i.imgur.com/GYdFRq2.jpg
上面兩張圖是對準晶圓邊緣的校準記號
但是顯微鏡顯示卻是一片漆黑
原本想說因為我使用的是厚光阻AZ4620
就去中山借用了微影系統
他們使用的是AZ1500
塗佈後光阻厚度僅1.5um
但是當他們光罩對準機的光學顯微鏡一打下去
同樣是一片雪白
無法分辨矽與二氧化矽的差異
可是後來想想要是真的無法分辨矽與二氧化矽
那目前市面上的MOSFET到底是怎麼做出來的？
我認為問題一定出在我製程的某個環節上
不好意思打擾大家
謝謝各位

5000A太淺了吧 覺得應該看不到...

光阻的折射率跟二氧化矽太接近了

就機台差異啊 當你有一台6000萬的機台 你就不會有這個問題了 學校呵呵

列幾種可能：（1）第一道蝕刻吃太淺，導致align mark蓋上光阻後不明顯。（2）anneal的thermal budget沒算好，導致oxide還是amorphous。(3)確認第二道mask 是不是沒layout align mark，很蠢，但是真的有可能……(4)OM or SEM設定錯誤，OM焦距對比調看看/SEM 能量調高點

去問邱主任的實驗室學生

我覺得是p大說的3，la mark 問題 沒有或線寬太小

1.5um 很厚好嗎...另外你跑錯地方了OM的DOF是nm等級的~你蓋那麼厚看不到前層是很正常4樓亂教 SEM只看的到當層~跟SEM一點關係都沒有

有沒有試過把光阻拔掉再去看一下alignment mark?OM就看不到的話那和SEM就無關聯了

在MEMS來說1.5um是薄沒錯你要不要試試看 整片不曝直接顯影 再拿去外面的OM或可能線寬太細了 外面強光看得到的話 可能把mark的線寬加大試試

Level sensor?

反正只要不是蝕刻沒吃出來或光阻流不進去 一切好談aligment mark的線寬不會影響你實際成品的功能

如果你的AM只有0.5um深，看不到很正常

同意樓上S大 我的意思就是5000A要當AM太淺了吧QQ我之前學生時代做的MOS第二道光罩要對的AM是用metal gate順便一起做的

製作前段STI的PR都很薄，因為resolution才夠，1.5 um這種都是後段甚至是封裝業在使用的

封裝都馬十幾um在摳的

thermal budget不是這種用法吧?抱歉會錯意惹

電子顯微鏡看不到前層拉 業界都是用雷射光源反射訊號對準然後用可見光量測結果拉

你sio2離子佈值完就洗掉了吧，要一個KEY光罩先RIE基板吃出key圖形方便後面對準

以前用om勉強能看出500a深的Trench你這沒理由看不到

學校機台的問題，有個方法是可以用負光阻搭配oxide做微影變化

GG的N28開始double paterning製程段就有這樣狀況

多一道光罩隨便co個金屬上去當AM不就好惹

一開始先在空地做alignment mark吧。選Au or Ti 加上lift off process

想法同上層,但你後面的mark應該要打掉重來，有金屬當mark比較好

看不懂Orz

同樓上，建議先作一個第0層mark，金屬比oxide的辨識度高