[請益] 請問有大大知道Pattern density嗎? doourbest23 PTT批踢踢實業坊

作者: doourbest23 (miaw) 2017-07-30 00:15:49

如題
請問大大知道Pattern Density effect嗎?(也有人稱為Loading effect)
知道Pattern Density與u-trench/fence/facet的關係嗎?
Pattern Density 與EPD(End point detection)之間有何關係嗎?

作者: jerry31528 (喇叭鎖~喇叭鎖~) 2017-07-30 00:30:00

轉到蝕刻半年你就懂了

作者: dubian77 2017-07-30 00:34:00

哈哈居然看的懂！颱風天問這個真是有向學的心，我不是蝕刻，但是我覺得你問的問題paper 上有喔，試著找找看吧！

作者: e76628 (兩佰) 2017-07-30 00:38:00

難得清流！加油

作者: xcri0922 (蛇) 2017-07-30 12:40:00

Clear ratio曝光後特定區域吃得慢叫Macroloading effect, 反之叫Microloading effect ?? 剛查到的, 我最近也suffered這問題一陣子~~

作者: vmcld9 (vmcld9) 2017-07-30 13:10:00

我的理解啦macroloading effect 是指etch時因為面積太小，所以吃不下去， loading effect 是因為die有些地方有pattern有些地方沒有，所以在一起etch時，會吃不均勻～～sorry,請把macro改成micro

作者: xcri0922 (蛇) 2017-07-30 13:20:00

還在學習, 感謝Vm大大~~

作者: chaoskyuriop (樹妖) 2017-07-30 14:44:00

給你關鍵字 ARDE 與 RIE lag 有興趣可以多看看第二個問題的話通常來講 PR在wafer上佔的面積越少Endpoint越好抓原因是有顯開的地方才是主要蝕刻的部分若蝕刻都在吃光阻 endpoint訊號是要抓什麼XD

作者: smartl (史瑪特丸) 2017-07-30 18:40:00

樓上EPD觀念有問題唷。End point capture主要不是看hole內或trench內。主要是看hole外的by product或是反應物。

作者: negohsu (專打不專業環團) 2017-07-30 18:49:00

一般hole沒有EP

作者: chaoskyuriop (樹妖) 2017-07-31 09:58:00

對蝕刻而言哪有分hole的內外外就是光阻內就是沒光阻才吃的下去 ep就是再抓沒光阻的地方 gas跟被蝕刻物的反應物發出的emission spectra所以如果今天hole的open ratio足夠大 , wafer上滿滿的洞是有可能抓得到ep的這部分歡迎站內討論剛好最近有遇到相關的issue

作者: negohsu (專打不專業環團) 2017-07-31 19:05:00

一般來說hole要夠多夠大才有機會抓，一般的contact ,via就別想了。此外，有一種蝕刻過程中可以直接計算蝕刻深度的，忘了簡寫，也許有機會透過偵測PR thickness來當EP

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