格羅方德宣布7奈米製程2018年初推出 並於當年年底量產
全球第二大晶圓代工廠商 GLOBALFOUNDRIES（格羅方德半導體）於 14 日宣布，將推出其
具有 7 奈米製成領先性能（7LP，7nm Leading-Performance）的 FinFET 製程技術，其
40% 的跨越式性能提升將满足諸如高階移動處理器、雲端伺服器網路基礎設備等應用需
求。設計軟體已就緒，使用 7LP 技術的第一批產品預計於 2018 年上半年推出，並將於
2018 年下半年進行量產。
格羅方德指出，2016 年 9 月公司曾宣布將充分利用其在高性能晶片製程中的技術，来研
發自己的 7 奈米 FinFET 製程技術的計畫。由於晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP
技術的表现遠高於最初的性能目標。與先前使用 14 奈米 FinFET 技術的產品相比，預計
面積將縮一半，同時處理性能提升超過 40%。目前在格羅方德美國紐約的 Fab8 晶圓廠內
，該技術已經做好了為客户設計提供服務的準備。
格羅方德 CMOS 業務部資深副總裁 Gregg Bartlett 表示，格羅方德的 7 奈米 FinFET
製程技術正在按照計畫開發，預期在 2018 年宣佈其多樣化的產品將會對客户將有強大吸
引力。在推動 7 奈米製程晶片在未来一年中實現量產的同時，格羅方德也在積極開發下
一代 5奈米及其後續的技術，以確保我們的客户能夠在走在最前端使用領先全球的技術。
格羅方德指出，未來將不斷投資下一代技術節點的研究與開發。通過與合作夥伴 IBM 和
三星的密切合作，2015 年時格羅方德就已經宣布推出 7 奈米測試晶片，又於近日宣布業
界首款使用奈米矽片晶體管的 5 奈米的樣片。目前，格羅方德正在探索一系列新的晶體
管架構，以幫助其客户邁進下一個互聯的智慧時代。
格羅方德進一步指出，其新開發的 7 奈米 FinFET 製程技術充分利用了其在 14 奈米
FinFET 製程技術上的大量製造經驗，該技術於 2016 年初 2 月 8 日開始在 Fab 8 晶
圆廠中正式生產之後，格羅方德已為廣大的客户提供了「一次便成功」的設計。
為了加快 7LP 的量產進度，格羅方德正在持續投资最新的研發設備能力，包括在 2017
年下半年首次購入兩組極端紫外線（EUV）光刻工具。不過，7LP 的初始量產的性能提升
將依賴傳統的光刻方式，而當具備大量生產條件之際，將逐步使用 EUV 光刻技術。
https://finance.technews.tw/2017/06/14/globalfoundries-7nm-2/