英特爾昨（29）日召開技術及製造大會（Technology and Manufacturing Day），除了再
度宣布10奈米Cannon Lake處理器將在下半年開始量產，重申10奈米晶片集積度（density
）是同業的2倍，大聲嗆聲技術領先台積電、三星等同業3年時間。
另外，英特爾也說明最新客製化晶圓代工（custom foundry）策略，以先進14奈米及10奈
米攻下在晶圓代工市場的灘頭堡。
另外，面對台積電推出優化28奈米及16奈米技術的22奈米及12奈米製程，及格羅方德（
GlobalFoundries）22奈米全耗盡型絕緣層上覆矽（FD-SOI）製程，英特爾也推出22奈米
鰭式場效電晶體（FinFET）的22FFL製程，並將其視為進軍晶圓代工市場的武器。
英特爾負責製造營運及業務的執行副總裁Stacy Smith，昨天在年度技術及製造大會中，
開宗明義強調摩爾定律仍然有效，且英特爾也因摩爾定律而維持技術領先地位。英特爾14
奈米製程雖然經歷3個產品世代，但第三代14奈米製程（14++）生產的晶片運算效能，已
經很接近第一代10奈米製程。
Stacy Smith說，英特爾技術仍依循摩爾定律前進，如10奈米的處理器晶片尺寸已縮小至
7.6平方公釐，只有14奈米晶片的0.43倍。英特爾10奈米的最小閘極間距已縮小至54奈米
，最小的金屬間距亦縮小至36奈米，而卻可以在每一平方公釐晶片尺寸中，達到1.008億
個電晶體的集積度，這不僅是14奈米的2.7倍，也是其它同業10奈米晶片集積度的2倍。
英特爾資深院士Mark Bohr指出，英特爾的製程微縮是跟著摩爾定律走，但部份同業在同
一晶片尺寸的集積度沒有明顯提升情況下，卻喊出已推出10奈米或7奈米製程，讓製程節
點的名稱失去意義。若由金屬及閘極間距、晶片集積度等指標來看，同業的10奈米只比英
特爾14奈米好一點，但仍遠遠落後英特爾10奈米約3年時間。
涂志豪╱台北報導