我還真的認真去找相關新聞....
還真的不少InGaAs on Silicon的相關技術研究
http://electroiq.com/blog/2015/10/2015-iedm-slide-7-ingaas-nanowire-fets-on-silicon/
縮:http://tinyurl.com/zfczyp4
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1326904
http://wccftech.com/intel-abandoning-silicon-7nm/
懶得翻譯了 有興趣的應該自然看得懂...
看起來過個幾年Si通道會被換掉的機會相當高

目前業界的共識是NMOS採用InGaAs, PMOS採用Ge另外要把這薄博的一層InGaAs or Ge 放在Si上，目前除非用轉印的，不然用磊晶的方式都不是很好的方法，(有buffer層)不考慮材料on Si的話, 其實三五族的Fin FET都有人弄出來了但是不一定是E-mode就是了，降低Dit還是很大的困難點

各位專業的大大，這樣的作法近期可以很快的應用到產業上嗎？還是還有一段時間?