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三星全球首家實現10納米級DRAM量產，半導體與中國拉開5年距離
Posted April. 06, 2016 07:29, Updated April. 06, 2016 07:40 by 金智賢 記者
三星電子全球首家開創了“10納米級DRAM”（Dynamic Random Access Memory，動態隨機
存取記憶體）的量產時代。國內外電子業界認為，中國半導體企業一直在中國政府的集中
支援下令人害怕地追擊韓國企業，三星此舉一下子拉開了5年以上的技術差距。
三星電子5日宣佈，從今年2月份起，世界最小的10納米級（18納米）8GB的DDR4（Double
Data Rate 4）DRAM已經進入了商業生產。
1納米是1米的十億分之一，其粗細相當於一根頭髮絲的十萬分之一。記憶體半導體晶片越
小，單一晶片就可以生產出更多的產品。這可以大大降低生產成本，因此國內外半導體企
業展開了激烈的“納米戰爭”。
三星電子在2004年實現了90納米級DRAM的量產，此後每年縮小10納米左右，於2011年9月
首次成功實現20納米級的DRAM量產。2012年，三星又全球首次成功量產25納米級的DRAM。
繼2014年實現20納米級DRAM的量產之後，三星同年10月在手機DRAM上也全球首安於現狀採
用了20納米級生產流程。目前，其他競爭企業還都停留在生產25-30納米級的DRAM的水準
，不久前剛剛開始20納米產品的量產。
三星電子計畫依靠此次成功進入量產的10納米級DRAM，在個人電腦和伺服器用傳統記憶體
半導體市場上展開大規模攻略。此外，在年內還將實現手機DRAM的10納米級量產，先行佔
領高清解像圖手機市場。長期而言，三星還將打破被認為是不可能的領域的10納米級的阻
隔，進入“X納米層DRAM”的技術開發。
三星電子全球首家開創了“10納米級DRAM”（Dynamic Random Access Memory，動態隨機
存取記憶體）的量產時代。國內外電子業界認為，中國半導體企業一直在中國政府的集中
支援下令人害怕地追擊韓國企業，三星此舉一下子拉開了5年以上的技術差距。
三星電子5日宣佈，從今年2月份起，世界最小的10納米級（18納米）8GB的DDR4（Double
Data Rate 4）DRAM已經進入了商業生產。
1納米是1米的十億分之一，其粗細相當於一根頭髮絲的十萬分之一。記憶體半導體晶片越
小，單一晶片就可以生產出更多的產品。這可以大大降低生產成本，因此國內外半導體企
業展開了激烈的“納米戰爭”。
三星電子在2004年實現了90納米級DRAM的量產，此後每年縮小10納米左右，於2011年9月
首次成功實現20納米級的DRAM量產。2012年，三星又全球首次成功量產25納米級的DRAM。
繼2014年實現20納米級DRAM的量產之後，三星同年10月在手機DRAM上也全球首安於現狀採
用了20納米級生產流程。目前，其他競爭企業還都停留在生產25-30納米級的DRAM的水準
，不久前剛剛開始20納米產品的量產。
三星電子計畫依靠此次成功進入量產的10納米級DRAM，在個人電腦和伺服器用傳統記憶體
半導體市場上展開大規模攻略。此外，在年內還將實現手機DRAM的10納米級量產，先行佔
領高清解像圖手機市場。長期而言，三星還將打破被認為是不可能的領域的10納米級的阻
隔，進入“X納米層DRAM”的技術開發。