Re: [情報] 自強基金會-半導體製程實作

作者: katzlee (I wish)   2015-09-02 19:09:08
想請教一下各位專業的前輩,小弟剛轉行做IC設計的FAE,工作內容主要分析客戶的異常,上這門課對工作的專業性有幫助嗎?
PS: 我是做Driver ic的。
※ 引述《a6931791 (Allen Coak)》之銘言:
: ============================================================================
: 【課程名稱】 半導體製程實作(2015/09/12-09/20)
: 【課程代碼】 04O003
: 【上課時間】 2015/09/12起,至9/20日止,每星期(六、日) ,
:         共2週, 09:00~16:00
: 【課程主旨】 藉由簡易的NMOS實做,學員可實際操作半導體相關的設備,
:         如爐管、黃光、清洗蝕刻、量測及鍍膜設備等,並於課程中
:         做進一步相關設備及製程原理的解說,使初步接觸半導體的
:         學員能對半導體製程有更進一步的認識。
: 【課程特色】 1.可實際操作半導體製程相關設備。
:         2.自己做好的晶圓可攜帶回家。
:         3.結業證書 符合"清大奈材中心"或"NDL"或
: "交大奈米中心"申請設備自行操作要件之一。
: 【修課條件】 半導體最基礎的實作,無科系或工作領域限制。
:         但最好是大專以上理工科系畢或半導體、 微機電、
:         面板相關工作,具半導體製程概念者為佳。
: 【諮詢專線】 03-5722644 張營煌先生 yhchang@tcfst.org.tw
: http://edu.tcfst.org.tw/query_coursedetail.asp?tcfst=yes&courseidori=04O003
: ============================================================================
: 【課程大綱】  1.第一節課(3小時)
:          NMOS製程流程解說
:          標準清洗
:          晶圓旋乾機旋乾
:         2.第二節課(3小時)
:          高溫熱氧化製程Field oxide(SiO2) 500nm
:          二氧化 矽厚度量測(nanospec)
:          橢圓儀厚度量測
:         3.第三節課(3小時)
:          黃光製程,第一道光罩
:          BOE濕蝕刻
:          硫酸+雙氧水去光阻
:         4.第四節課(3小時)
:          高溫磷擴散
:          含磷氧化層濕式蝕刻
:          四點探針量測、二氧化矽蝕刻
:          高溫熱氧化製 程Gate Oxide 50nm
:         5.第五節課(3小時)
:          黃光製程,第二道光罩
:          BOE濕蝕刻
:          硫酸+雙氧水去光阻
:         6.第六節課(3小時)
:          濺鍍鋁金屬膜PVD:Al Deposition(RF-Sputter)
:          表面輪廓儀量測
:         7.第七節課(3小時)
:          黃光製程,第三道光罩
:          Al Etching
:         8.第八節課(3小時)
:          晶圓切割
:          雷射切割
: ============================================================================
作者: sasanmo (普利斯特蘑)   2015-09-03 02:51:00
這門課做的是wafer,你分析的是已經封裝好IC應用異常,關聯性薄弱
作者: PECVD (PECVD)   2015-09-03 09:55:00
作driver ic的轉作 fae 喔?比較少見耶!有原因嗎?ic異常分析,常見的應該就直接找閎康宜特找emmi之類的要找到製程方才能解決的問題比較少

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