作者:
jgwihi ( )
2015-01-01 20:16:37請問一下
DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應式離子蝕刻)設備
它可以在矽基板蝕刻出具有高深寬比，及良好垂直側壁
但如果想要在整片Wafer蝕刻出來的結果，深度要維持一致性
例如蝕刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蝕刻的深度誤差要控制在1μm以下
即199μm~201μm之間，目前做出來的結果不容易達到，
側壁也能達到幾乎接近90°
請問有什麼設備機台，或是有更高階的設備，或產學單位可以達到這樣的規格要求呢？
謝謝。
補充：或是有蝕刻設備的廠商也請提供。目前知道辛耘。
ICP? lower pressure+higher plasma density
作者: deepee258 (觸底反彈) 2015-01-01 20:26:00
3DIC嗎？
作者:
jgwihi ( )
2015-01-01 20:31:00ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS
作者:
jgwihi ( )
2015-01-01 21:04:00TSV的via也是，用DRIE來蝕刻Trench,要放入其他componentTSV之後會用到
作者: sianous (sianous) 2015-01-01 21:07:00
要看選擇的氣體跟停止層金屬機台應該不難找人，如AMAT
作者:
jgwihi ( )
2015-01-01 21:09:00氣體用SF6蝕刻，C4F8鈍化，停止層的金屬待確認
作者:
smartl (史瑪特丸)
2015-01-01 23:02:00蝕刻設備就屬TEL跟LRM兩家比較強。你講的是uniformity 的問題。跟chemistry沒有絕對關係。high Vdc比較有機會達到不過可能會衍生出loading的問題。
小線寬si吃不動(約0.2um) 想問有其他方法嗎吃不用深 約0.2～0.5um 乾和ICP已是過 濕有晶向問題不知道有什麼方法 謝謝
作者:
smartl (史瑪特丸)
2015-01-02 20:01:00小pitch吃不動有可能是polymer太重。蝕刻氣體選擇要注意。如果使用比較depo的氣體 如C4F8 power就不要開太高。
作者: SkyLark2001 ( ) 2015-01-03 07:36:00
原PO不介意可至MEMS版討論，我不清楚業界但可提供學界經驗。至於t兄的問題，十之八九是黃光沒做好。
作者:
jgwihi ( )
2015-01-04 20:00:00沒有找到MEMS版，請問版名是什麼呢？
作者:
youbi (小朋友)
2015-01-07 16:09:00要求均勻性與under cut?