全球最大半導體設備廠應用材料全球副總裁余定陸昨（6）日表示，應用材料推出
Applied Endura Volta化學氣相沉積（CVD）鈷金屬系統，解除導線技術瓶頸，讓摩爾定
律持續往下微縮至20奈米以下製程。他表示，由於晶圓製造技術突破，2014年是晶圓代工
20奈米及3D NAND起飛量產年。
應用材料宣布推出Endura Volta化學氣相沉積鈷金屬系統，這機台是市面上唯一能沉積精
密的鈷金屬薄膜，為28奈米以下的邏輯晶片提供銅導線包覆的能力，能夠解除導線技術瓶
頸，讓摩爾定律持續往下微縮。同時，應用材料Endura Ventura物理氣相沉積（PVD）系
統也能協助客戶降低成本，利用直通矽晶穿孔（TSV）技術來生產尺寸更小、功耗更低、
整合度更高的3D晶片。
http://www.chinatimes.com/newspapers/20140607000142-260206