來源：
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7853868.shtml
原文：
晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）技術長蘇比（Subi Kengeri）昨（24）日來
台，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術龍頭，繼14奈米XM明年量產，10奈米2015年推出，此
進度比台積電領先兩年，也比英特爾2016年投入研發還領先一年。
格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年併購前特許半導體，蘇比表示，2009年
剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術的設計能力，加上
先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務客戶經驗，IC Insights統計，2012年公司躍進晶圓
二哥，與台積電同列晶圓雙雄。
公司企圖不只於此，蘇比看好行動裝置電子產品內建晶片對晶圓先進製程的需求有高
度成長，2011年到2016年，40奈米以下先進製程的晶圓複合成長率有37%，到2016年產值將
占全球晶圓代工比重高達60%。
為了搶攻這波行動商機，格羅方德去年推出14奈米XM製程、2014年量產後，10奈米
2015年量產，兩種製程都導入鰭式電晶體（Finfet）。
格羅方德的10奈米與14奈米XM都是所謂的混合製程，例如14 奈米就是採用20奈米的設
備與設計工具做出線寬14奈米的晶片，10奈米就是運用14奈米的設備與設計工具，製造線
寬約當10奈米的晶片。
相較於台積電不做14奈米製程，而是推出16奈米Finfet，蘇比說明，公司之所以作14
奈米，因為英特爾不斷進軍行動市場，公司的客戶感受到壓力。
格羅方德預計20奈米下半年推出，與台積電幾乎同步，公司12吋產能有德國德勒斯登
的晶圓一廠（Fab1）與紐約八廠（Fab8），各有4萬片與6萬片月產能，其中，Fab8將導入
28奈米以下最先進製程。