看到推文有人提到channel材料 我好奇問個技術問題
既然現在Oxide都是High-k用"長"的了
那channel也不一定要用Silicon了吧?
以前是因為SiO2容易長出品質好的Gate絕緣層
但現在可以用遷移速率更快的III-V族 或是其他材料吧?
當然也許非Si的wafer比較貴
但也許哪天應該會有人有辦法在Si substrate長出其他半導體材料層
例如GaAs-on-Si之類的wafer
這樣就不用光靠縮短gate length來提升效能
不曉得除了學術研究外 商業上有人做這塊嗎?
※ 引述《sample0620 (消失的下雨天)》之銘言：
: 英特爾：持續追求摩爾定律 14奈米製程按計畫進行
: http://tinyurl.com/bhb8ymn
: 2012/12/05-陳玉娟
: 全球半導體產業製程軍備競賽激烈，英特爾(Intel)、台積電與三星等紛砸下重金增強戰力
: ，英特爾(Intel)技術長Justin Rattner於4日來台時再次重申英特爾在半導體製程領先地
: 位，14奈米製程計畫按既定進度進行中，未來1、2年內就可正式量產，而18吋晶圓布局也
: 與合作夥伴緊密合作開發中。
: 此外，英特爾也對摩爾定律(Moore's Law)堅持不懈的追求，也就是電晶體數目每2年就會
: 倍增的高科技產業定律，可以再延續到未來10年。
: 英特爾於2011年5月時正式揭露3D、三閘 (Tri-Gate )電晶體重大突破，22奈米Ivy Bridge
: 即為首批採用 3D、三閘電晶體的量產晶片，也讓英特爾穩居半導體產業龍頭地位，而英特
: 爾為力守製程技術領先地位，全力產出效能更高且省電的晶片，先前已釋出相關製程藍圖
: ，包括2013年底將會進入代號分別為P1272、P1273的14奈米CPU及SoC世代，並加碼投資位
: 於Oregon的D1X Fab、Arizona的Fab 42及Ireland的Feb 24晶圓廠，2015年起按既定計畫進
: 入10奈米、7奈米與5奈米製程研發生產。
: 英特爾在每世代技術也都會有重大突破，例如32奈米導入高介電金屬閘極(HKMG)，22奈米
: 則採用3D、三閘電晶體技術，14奈米也將導入全新技術。
: 不過，包括台積電、GlobalFoundries與三星等全球晶圓代工大廠也不是省油的燈，先前也
: 大舉釋出下世代製程規劃，其中，相當積極的三星，預計2013年將進入20奈米製程世代，
: 14奈米製程也按既定計畫進行，而台積電20奈米在2013年下半就可進入小量生產階段，首
: 款3D架構FPGA晶片也會登場，除既有客戶NVIDIA、超微(AMD)、高通(Qualcomm)等大廠將在
: 2013年上半進入tape-out外，蘋果A7應用處理器接單進度備受關注。
: 此外，企圖心十足的GlobalFoundries先前則宣稱14奈米FinFET製程技術將在2013年底試產
: ，2014年量產，可望領先聯電和三星，且進一步挑戰台積電與英特爾，不過，由於英特爾
: 、台積電在製程技術上擁有顯著領先差距，資本支出即便面臨全球不景氣也不縮減，
: GlobalFoundries、三星等欲追上難度甚高。
: 值得注意的是，英特爾全面投入晶圓廠擴建與14奈米等先進製程技術布局，然隨著PC市場
: 動能大減，市場也揣測英特爾在自有產品線恐難填滿所有產能，下一步可能將大舉發展晶
: 圓代工服務，與台積電、三星爭食晶圓代工大餅。
: Rattner就表示，英特爾在半導體製程技術上穩居領先地位，14奈米及之後的10奈米、7奈
: 米製程開發進度相當順利，英特爾不僅是提升製程技術，同時也兼顧微架構改良，而英特
: 爾持續遵循摩爾定律，電晶體數目每2年就會倍增的高科技產業定律，可以再延續到未來10
: 年。
:
: 在18吋晶圓布局方面， 英特爾先前已宣佈投資荷蘭設備大廠ASML，主要是看好EUV微影技
: 術，然按目前進度來看，英特爾18吋晶圓及EUV微影可望在2017年前投產，也是居於領先地
: 位。
: 雖然製程技術輸很大
: 但是2330還是要加油!!!
: 台灣現在只有靠你們在上面撐了
: 英特爾裡面的工程師都是天才嗎
: 還是外星人
: 怎麼那麼利害