太多資訊,乾脆用回文的方式
先說結論
MU2和MU3都是公版設計+公版韌體,沒有啥特別的
反正我個人不推就是惹
與其不斷糾結倒不如買貴一點,但更優秀的產品,至少不用想來想去
http://bbs.pceva.com.cn/thread-130662-1-1.html
MU2:
PHISON PS3110-S10
第三方封裝Toshiba 15nm TLC
MU3:
PHISON PS3111-S11(無快取DRAM)
第三方封裝Toshiba 15nm TLC
a.
這裡指的快取DRAM是給主控加載FTL的映射表或是當快取存一些資料用的
(一般來說為了加強SSD性能,所以會從NAND Flash將映射表加載到快取DRAM內)
無快取DRAM的SSD顧名思義就是沒有額外的快取DRAM,節省成本且多少也可降低一點耗電量
而FTL的映射表就改存放在主控SRAM中
那個"32M SDR"大概就是指主控內建的SDRAM容量
依照推文uchiyama所提供的訊息來看PS3111-S11是用SDRAM和主控封裝在一起的形式
但會提到主控SRAM大小的資料非常少,所以這邊就參考就好(網路也查不到資料)
沒快取DRAM不會怎麼樣
頂多頂多影響4KB QD1隨機讀這種需要低延遲的性能表現罷了(用戶不會感覺到有差)
因為SRAM容量終究比不上可外加的快取DRAM,所以需要常加載映射表
這篇有提到一點
http://bbs.pceva.com.cn/thread-26362-1-1.html
b.
而SLC Mode(SLC Cache,TurboWrite,PlexNitro,模擬SLC,pSLC...和一堆廠商自稱的名子)
則是一種NAND Flash的運作模式,和快取DRAM毫無關聯
SLC Mode就是將TLC或是2-Bit MLC NAND只編程Lower Page(模仿SLC NAND)
而Lower Page的編程速度最快,且這樣也能提升耐久度
(理論上這SLC Mode區塊耐久度會提升到接近SLC NAND)
這樣就讓SSD在SLC Mode時寫入速度快,也能當抵擋寫入的盾牌
(然後在閒置時或塞滿時fold進MLC/TLC區塊)
不過SLC Mode終究是SLC Mode,雖有寫入速度高的最大優勢
但寫超過SLC Mode的區塊後就是原生MLC或TLC的寫入速度了
而常見的快餐跑分測的當然也會是只到SLC Mode的區塊(如只有5GB的AS SSD)
更細的部分請看下面這篇,關鍵字"Copy back"
http://bbs.pceva.com.cn/thread-135467-1-1.html
而SLC Mode有分三種實現方法:(不多做解釋了)
1.全碟SLC Mode(如Toshiba Q Series Pro)
2.動態SLC Mode(如美光Dynamic Write Acceleration)
3.固定容量SLC Mode(如SanDisk Ultra II)
c.
網路指的不同批次會有不同顆粒,這其實只有在建興睿速T9發生(這顆爭議很大)
其它就是LiteOn自家的命名方式很雜亂罷了
以上,有錯誤還請高人指正