IBM 相變記憶體研究突破，每單位現在可儲存三位元資訊
http://chinese.engadget.com/2016/05/17/ibm-research-phase-change-memory/
作者： ANDY YANG 16 小時前
相變記憶體（Phase Change Memory，PCM）
是諸多號稱能「改變未來」的新記憶體技術之一，
擁有接近 DRAM 的速度、遠超過快閃記憶體的使用壽命，
以及不供電也能保存資料的特性。
在某些方面來說，它和憶阻體有點像，都是利用物質的電阻高低值來儲存資訊，
只是真正的憶阻體是用電壓來控制物質的電阻，而相變記憶體用的卻是溫度。
相變記憶體使用的物質一般是一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide Glass），
它們在加熱冷卻後，可以形成高電阻的晶體，或是低電阻的非晶體狀態，
或是兩種狀態間的任意比例組合。
過去 IBM 已經成功地實作出一個晶體單位儲存一個位元（兩種狀態擇一）
的相變化記憶體樣本，這次的突破主要是在於對晶體狀態更細緻的辨識能力，
讓每個晶體單位可以可靠地量測出八種不同的狀態，記錄三位元的資訊。
三位元是個重要的里程碑，因為如此一來它在成本上就明顯對 DRAM 有優勢，
甚至逼近了快閃記憶體。
只是像所有這類的研究一般，每次都只聞樓梯響，究竟要什麼時候才能看到產品面世呢？
IBM Scientists Achieve Storage Memory Breakthrough
https://youtu.be/q3dIw3uAyE8