原文標題：
爆料：三星 3 奈米良率翻三倍，PPA 有望趕上台積電 N3P
原文連結：
https://technews.tw/2024/03/22/samsungs-3nm-yield-related-news/
發布時間：
2024 年 03 月 22 日 16:05
記者署名：
※原文無記載者得留空
原文內容：
市場傳出，三星電子（Samsung Electronics Co.）3 奈米良率大幅拉高，整體表現有機
會追上台積電。
知名爆料人Revegnus 22日透過社交平台X指出，三星3奈米良率一開始雖只有10%~20%，但
最近拉升至三倍以上。
雖然良率依舊低於使用現有「鰭式場效」（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製
程的台積電，但三星對第二代3奈米製程期望甚高，據傳看好效能、功耗及面積（
Performance、Power、Area，PPA）前景（有謠言暗示可趕上台積電N3P）。
Revegnus表示，消息人士透露，三星3奈米製程的能源效率（power efficiency）、邏輯
區域（logic area）都比4奈米FinFET改善20%~30%。
韓國媒體TheElec報導，三星共同執行長慶桂顯（Kyung Kye-hyun）20日在年度股東大會
預測，今年半導體營收有望重返2022年衰退前水準。
慶桂顯指出，記憶體事業1月轉虧為盈，今年恢復元氣，除了高頻寬記憶體（HBM），開放
性高速互連通訊協議CXL（Compute Express Link）、記憶體處理器（Processor In
Memory，PIM）也與客戶接洽，結果很快就能出爐。
三星晶圓代工事業總裁崔時榮（Siyoung Choi）同場合表示，雖然英特爾（Intel Corp.
）談論1.4奈米製程，但三星及台積電都有製程規劃。他說，客戶要的是穩定供應、產品
具競爭力的晶圓代工商，三星4奈米良率已成熟。
崔時榮並表示，第二代3奈米製程下半年投產，2奈米投產時間是明年。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：三星電子）
心得/評論：
三星3奈米良率一開始只有10%~20%，但最近拉升至三倍以上
直追台積電。
短時間內三星良率大幅提升，太玄了，比玄天上帝還玄
這樣台積電還有搞頭嗎？