原文標題：〈華邦電展望〉20奈米DRAM良率進展優預期 可望提前半年量產
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發布時間：2023/05/01 13:10
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記者署名：鉅亨網記者林薏茹
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原文內容：
記憶體廠華邦電 (2344-TW)DRAM 新製程傳捷報，20 奈米良率遠優於預期，產能拉升速度
也大幅超前預期半年，最快 7 月可望進入量產，華邦電為因應 20 奈米量產腳步接近，
也將提高原規劃產能規模，高雄新廠年底前將從 1.4 萬片擴增至 1.5 萬片。
華邦電高雄路竹新廠去年底加入生產，目前以 25S 奈米製程投片，月產能約 1 萬片，預
計下半年就會推進至 20 奈米；相較前一代 25S 製程，20 奈米可增加 40% 晶粒產出，
可有效降低成本，也將導入生產 DDR4 產品。
華邦電原先預計，20 奈米今年底才可望量產，不過，在大數據應用協助下，大幅推進新
製程開發進度，目前 20 奈米良率已遠優於原先預期，客戶小量導入中，將提前近半年進
入量產。
為因應 20 奈米量產腳步，華邦電也正催促供應商交貨設備機台，將裝機時間由年底提前
至第三季，並將年底產能目標由 1.4 萬片拉升至 1.5 萬片，屆時大部分產能將轉至 20
奈米製程。
華邦電去年資本支出 408 億元，今年預估 121 億元，大部分用於高雄廠建廠及提升製程
品質、新製程研發等支出。除 20 奈米 DRAM 進度超前外，45 奈米 NOR Flash 開發進度
也相當順利，年中將試產、下半年量產，明年營收貢獻可望大幅成長。
心得/評論：
華邦電提早預期半年，最快今年下半年就能量產20奈米DRAM新製程，年底產能目標由1.4萬
片拉升至1.5萬片，可預期今年營收增加、明年營收可望大幅成長。
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