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三星明年逆勢擴記憶體、半導體產能 將增10台EUV機台
鉅亨網記者林薏茹 台北2022/12/26 15:33
據韓媒報導，即便全球經濟放緩，三星仍計畫明年擴產平澤 P3 廠，包括 12 吋 DRAM 晶
片、4 奈米晶片產能，並計畫明年增加至少 10 台 EUV 機台。
外媒報導，三星計畫用新的設備生產 12 奈米 DRAM，待 P3 廠擴產後，DRAM 月產能將由
2 萬片提升至 7 萬片。P3 廠為三星在全球最大晶圓廠區，今年將生產先進 NAND Flash
晶片。
在全球經濟受通膨等因素籠罩下，各大半導體廠相繼縮減資本支出，以度過這波景氣寒冬
。美光上周才宣布 2023 年資本支出將降至 70-75 億美元，較 2022 年的 120 億美元大
幅縮減，並暗示 2024 年將大幅調降資本支出。台積電 (2330-TW)(TSM-US) 今年 10 月
法說時也宣布，2022 年資本支出將調降至少 10%。
三星先前曾表示，雖然目前市場需求減少，但因應中長期需求復甦，不考慮人為減產，今
年資本支出仍預估為 54 兆韓元，按既定計畫進行。由於產業縮減投資幾乎已成「新趨勢
」，三星卻不隨波逐流、背道而馳，格外引起市場關注。
記憶體市場更是面臨供過於求困境，但三星也表態不考慮人為減產，市場認為，三星計畫
利用此次產業景氣遭遇寒冬之際，挾資本優勢蠶食 SK 海力士、鎧俠等其他大廠市占率，
鞏固產業領導地位。
……
三星不管產能過不過剩,逆勢大擴廠,dram、nand flash都沒有止跌的跡象,晶圓代工部分
還引 入10台euv ,要跟台積決戰