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戰鬥民族放大絕！俄羅斯 2028 年要量產 7 奈米製程微影曝光設備
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發布時間：
2022 年 10 月 24 日 7:00
記者署名：
作者 Atkinson
原文內容：
Tomshardware 報導，一家俄羅斯研究單位正在研究開發半導體微影曝光設備，預計可生
產 7 奈米製程晶片。計畫 2028 年完成，可能比 ASML Twinscan NXT:2000i 效能更高。
而 ASML 開發 Twinscan NXT:2000i 花了超過 10 年。
2 月 24 日俄烏戰爭爆發後，美國、英國和歐盟制裁俄羅斯，禁止幾乎所有先進晶圓廠與
俄羅斯合作。台灣也迅速禁止向俄羅斯供應先進晶片。英國制裁下，Arm 也不能將新半導
體矽智財權授權俄羅斯晶片設計廠商。故俄羅斯政府推出國家計畫，2030 年要自己開發
28奈米製程技術，並盡可能逆向工程歐美晶片取得技術，也要培養本地人才自製晶片。
俄羅斯想 2030 年量產 28 奈米仍很困難，俄羅斯最先進晶圓廠可製造 65 奈米製程晶片
，且美國等制裁，歐美半導體設備製造商也無法供應半導體設備。俄羅斯想量產 28 奈米
，必須自己設計建造晶圓生產設備，8 年內完成 ASML 和應用材料（Applied Materials
）花了幾十年才有的成果。
俄羅斯計畫由俄羅斯科學院下屬俄羅斯應用物理研究所（Russian Institute of
Applied Physics，IAP）超越所有人預期，到 2028 年研發且量產有 7 奈米製造能力的
微影曝光設備。但晶圓現代微影曝光設備高度複雜，牽涉到高效能光源、精密光學、精確
計算等關鍵零組件，但俄羅斯最頂尖應用物理研究機構，IAP 相信自己可以短時間開發出
工具。
俄羅斯想量產的設備與 ASML 或 NIKON 等不同。IAP 計劃使用大於 600W 的光源，曝光
波長為 11.3 奈米（EUV 波長為13.5 奈米），需要比現在更複雜的光學元件。因光源功
率相對較低，體積更緊湊，更容易製造，但代表微影曝光設備晶片產量將大大低於現代深
紫外（DUV）微影曝光設備。IAP 表示這不會是問題。
32 奈米以下製程，目前主流是沉浸式微影曝光設備。ASML 於 2003 年底推出第一款沉浸
式微影曝光設備 Twinscan XT:1250i，並在 2004 年第三季交貨，生產 65 奈米邏輯晶片
和 70 奈米等級 DRAM。之後花了約 5 年 2008 年底宣布推出支援 32 奈米的 Twinscan
NXT:1950i 沉浸式微影曝光設備，2009 年交貨。
以上代表技術領先者 ASML 約花 9 年才在 2018 年交貨支援 7 奈米和 5 奈米製程的
Twinscan NXT:2000i DUV。再從 ASML 產品發展歷程看，從 65 奈米發展到 7 奈米，總
計花了 14 年。現在沒有任何經驗或與晶片製造商沒有任何關係的俄羅斯 IAP，打算 6
年從頭製造支援 7 奈米製程的微影曝光設備，聽起來實在不可行，但 IAP 充滿熱情。
俄羅斯科學院微結構物理研究所副所長 Nikolai Chkhalo 表示，全球微影曝光技術領導
者 ASML 近 20 年來一直在開發 EUV 微影曝光設備，且非常複雜，但 ASML 目標是保持
世界最大晶圓廠極高生產力。俄羅斯為科學技術發展，沒人需要如此高生產力。IAP 將從
俄羅斯國內需求和任務出發，微電子學不是數量，而是品質。需轉移到自己的製造技術，
自己訂定設計標準，自己發展工具、工程、材料。走自己的路不可避免。
據發展時程，IAP 計畫 2024 年前建造功能齊全的首代微影曝光設備設備，不必具備高生
產率或最大解析度，只要能運作，對潛在投資者有吸引力。之後 IAP 打算 2026 年前製
造有更高生產力和解析度的微影曝光設備測試版。這時這套機器應該可量產晶圓，但生產
力不會達最大。終極版 2028 年問世，不但能取得高性能光源，且有更優計算量測和整體
能力。不過還未公布 IAP 與合作夥伴會生產多少設備。
還有一個問題，就是晶圓廠設備不只微影曝光設備，還有其他設備負責蝕刻、沉積、抗蝕
劑去除、計量和檢測等，俄羅斯也都沒有製造。還有一些不太先進的機器，如純氧和純水
生產系統，俄羅斯也沒有生產，還需在禁運國家之外，尋找晶圓所需矽晶圓材料。即使
IAP 設法做出微影曝光設備，仍需繼續做出其他設備，才能建造現代化晶圓廠。
心得/評論：
中俄兩國都打算啟動國家力量發展半導體
俄國看來比中國更誇張
中國半導體至少發展了30年，
2001年聯電到中國設廠後有了巨大的進展
但至今7奈米還是無法進入大量生產程度
俄羅斯看起來是想用跳級的方式進入
只是不清楚俄國的科技力有沒有到這個程度
(走私程度應該是有，但是端上檯面的技術力就很難說了)
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