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2024碳化矽起飛成長年，眾多廠商加速擴廠
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https://bit.ly/3cCGbh7
發布時間：
2022/7/27
記者署名：
Kyle
原文內容：
全球的製造商正在加速碳化矽（SiC）的製造，目前預計這一成長將從2024年開始真正起
飛。
許多領導SiC的IDM廠商紛紛宣布擴大其製造設施。Wolfspeed在紐約州北部建立一座新的8
吋晶圓廠；博世（Robert Bosch）正在德國增加近40,000平方英尺的新SiC專用潔淨室；
羅姆（Rohm）在日本開設一家新廠，目標在未來五年內將SiC製造量提高5倍；英飛凌（
Infineon）開始在馬來西亞建設新的SiC工廠；東芝（Toshiba）計劃到2024年將SiC產量
提高3倍，到2026年提高10倍。
意法半導體（STMicroelectronics）表示，SiC專用設備的主要挑戰是晶圓處理及多種製
程要求。由於寬能隙材料固有的化學物理特性，使得製造商必須在製造流程中使用了新的
設備和製程。與矽為基礎的功率元件之製程相比，高溫磊晶和離子佈植（Ion
implantation）製程和熱處理更是需要新設備及製程。
換言之，由於SiC的製程和設計緊密相關，所以主要仍是IDM主導的業務。但晶圓代工廠依
然有機會。
例如：X-Fab是第一家純SiC代工廠商，早期就增加了專用SiC製造設備，如佈植機和SiC磊
晶。因此，X-Fab成功地建立了穩固的SiC客戶基礎；蘇格蘭的Clas-SiC是一家全新且全面
營運的端到端加工和生產之開放式6吋晶圓廠，專門針對SiC加工而生。
PowerAmerica聯盟指出，通過調整現有製程、設備併購、購買關鍵的新工具，即可讓一條
6吋的矽晶圓生產線以大約2000萬美元的價格轉換成SiC生產線。這種正為舊矽晶圓廠注入
新活力。
除了製造商之外，設備商也在該市場上進行大量投資。例如：科林（Lam Research）在
SiC製造進行多方部署，包括：SiC溝槽蝕刻、介電沉積和蝕刻、厚金屬加工和器件鈍化。
隨著技術在未來幾年從6吋過渡，Lam將專注於確保其應對8吋的關鍵應用。
應用材料（Applied Materials）推出了兩種專用於SiC的新工具。從工程的角度來看，
SiC晶片的功耗取決於汲極電流（Id）的平方和「導通」電阻（Ron）。為了提高效率，應
用材料通過增加電子移動來降低「導通」電阻。為了生產具最高品質表面的均勻晶圓，應
材公司開發了Mirra Durum CMP系統，該系統將拋光、材料去除測量、清潔和乾燥整合在
一個系統中。
總之，SiC的崛起正在讓IDM和晶圓代工廠分別與相關供應商合作改善其製程，期待能夠交
貨期縮短，產量增加，並早日能在2024年達到起飛的階段。
心得/評論：
分析師預測2024年SiC需求開始大增，各大廠商積極布局第三代半導體，台灣的話第三代
半導體目前是以製造端較強，包括台積電、世界先進、穩懋、宏捷科、漢磊、朋程、茂矽
等多有所投入，但積體電路設計、半導體封裝及測試等環節較弱。